本書(shū)以表面增強(qiáng)拉曼散射(SERS)、熒光成像技術(shù)作為主要的分析和檢測(cè)手段，結(jié)合納米材料的優(yōu)勢(shì)，構(gòu)建了一系列還原酶激活的功能化納米探針用于分析和檢測(cè)缺氧微環(huán)境中腫瘤細(xì)胞內(nèi)的變化。本書(shū)研究了缺氧條件下腫瘤細(xì)胞內(nèi)發(fā)生的變化及標(biāo)志物的檢測(cè)，為設(shè)計(jì)缺氧相關(guān)的探針和檢測(cè)腫瘤標(biāo)志物提供了有價(jià)值的指導(dǎo)思想。通過(guò)缺氧細(xì)胞內(nèi)高表達(dá)的還原性

本書(shū)主要介紹了電化學(xué)發(fā)光原理、無(wú)機(jī)電化學(xué)發(fā)光體系、有機(jī)電化學(xué)發(fā)光體系、聚集誘導(dǎo)電化學(xué)發(fā)光、電化學(xué)發(fā)光分析傳感器、電化學(xué)發(fā)光免疫分析、電化學(xué)發(fā)光細(xì)胞傳感器、電化學(xué)發(fā)光基因傳感器等。具體包括國(guó)內(nèi)外電化學(xué)發(fā)光技術(shù)的研究進(jìn)展，新型電化學(xué)發(fā)光系統(tǒng)、新型傳感機(jī)制、電化學(xué)發(fā)光的應(yīng)用策略以及典型的傳感應(yīng)用等。本書(shū)可供從事電化學(xué)發(fā)光研究

《鐵電體物理基礎(chǔ)》用物理原理解釋了鐵電體在電場(chǎng)作用下發(fā)生的各種行為。《鐵電體物理基礎(chǔ)》分為兩部分，**部分介紹了鐵電體的基本特性：鐵電性、鐵電體的結(jié)構(gòu)與對(duì)稱性、熱力學(xué)特征函數(shù)和變量的雅可比偏導(dǎo)數(shù)、實(shí)驗(yàn)測(cè)試原理和鐵電疇起源，以及鐵電體的相變?cè)�理。第二部分用統(tǒng)計(jì)方法詳細(xì)闡明了各種鐵電體的電極化原理，給出了電滯回線、介電常數(shù)

本書(shū)聚焦于鐵電材料納米尺度電疇調(diào)控及其溫度敏感機(jī)理分析，將鐵電薄膜生長(zhǎng)優(yōu)化與壓電力顯微鏡納米探針極化調(diào)控技術(shù)相結(jié)合，詳細(xì)探討了鐵酸鉍薄膜與鈮酸鋰單晶薄膜百納米量級(jí)電疇反轉(zhuǎn)調(diào)控規(guī)律，揭示了不同極化調(diào)控作用下鐵電電疇動(dòng)態(tài)機(jī)制，研究了不同極化取向之間的疇壁導(dǎo)電效應(yīng)及溫度敏感機(jī)理。本書(shū)可以作為從事電子信息功能材料及器件研究，尤

本書(shū)為“聚集誘導(dǎo)發(fā)光叢書(shū)”之一。聚集誘導(dǎo)發(fā)光(AIE)機(jī)理的探索伴著AIE領(lǐng)域的發(fā)展，AIE領(lǐng)域經(jīng)過(guò)20余年的蓬勃發(fā)展，機(jī)理探究日新月異。從猜測(cè)假設(shè)，到理論推算；從初步實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，到指導(dǎo)新體系開(kāi)發(fā)；從經(jīng)典光物理過(guò)程，到新穎的空間共軛機(jī)制探索；AIE機(jī)理的研究正展現(xiàn)出其在該領(lǐng)域不可或缺的指導(dǎo)意義。本書(shū)系統(tǒng)地闡述了主要AIE

本書(shū)旨在為固體力學(xué)專業(yè)、土木類、材料類及機(jī)械類相關(guān)專業(yè)高年級(jí)本科生研究生開(kāi)設(shè)的"固體本構(gòu)理論"相關(guān)課程，意在使學(xué)生掌握建立固體本構(gòu)模型的基本概念、基本理論和基本方法。本書(shū)在連續(xù)介質(zhì)力學(xué)的基礎(chǔ)上，結(jié)合損傷理論、細(xì)觀力學(xué)基礎(chǔ)講述固體本構(gòu)模型的建模方法、基本概念和基本理論。為簡(jiǎn)化問(wèn)題的復(fù)雜性,突出固體本構(gòu)理論的基礎(chǔ)，本書(shū)重點(diǎn)

《薄膜物理與技術(shù)》主要闡述了薄膜物理與薄膜技術(shù)的基礎(chǔ)理論知識(shí)，重點(diǎn)講述了薄膜生長(zhǎng)基礎(chǔ)，薄膜生長(zhǎng)技術(shù)，包括蒸發(fā)、濺射、離子鍍、化學(xué)氣相沉積、原子層沉積、化學(xué)溶液沉積以及納米薄膜組裝等，并對(duì)薄膜的基本性質(zhì)及與光、電相關(guān)的一些薄膜材料進(jìn)行了介紹。本書(shū)可作為高等學(xué)校材料科學(xué)與工程、電子科學(xué)與技術(shù)、微電子、光學(xué)等專業(yè)的本科生或研

G蛋白偶聯(lián)受體(GPCR)是一大類橫跨細(xì)胞膜的受體蛋白，目前僅見(jiàn)于真核生物中，并參與諸多細(xì)胞信號(hào)轉(zhuǎn)導(dǎo)過(guò)程。GPCR的生物功能既與其單體形式有關(guān)，也與其聚集體形式相關(guān)。其中，C家族GPCR已經(jīng)被公認(rèn)為會(huì)形成受體聚集體。當(dāng)前，單分子熒光技術(shù)常使用基因表達(dá)的熒光蛋白和光學(xué)穩(wěn)定性欠佳的有機(jī)熒光染料作為標(biāo)記物，在研究GPCR的聚

本書(shū)首先講解價(jià)電子的運(yùn)動(dòng)狀態(tài)，引出了金屬自由電子理論的索末菲模型；其次講解離子實(shí)排布，引出了晶體結(jié)構(gòu)；再次講授內(nèi)層電子，引出了布洛赫定理和能帶理論；最后通過(guò)分析離子實(shí)的熱振動(dòng)，研究晶格動(dòng)力學(xué)，從微觀角度分析宏觀問(wèn)題。

本教材分析了高分子復(fù)合材料電介質(zhì)所涵蓋的主要性能參數(shù)，如介電常數(shù)與場(chǎng)強(qiáng)擊穿強(qiáng)度，同時(shí)探究了其表界面以及其他主要的影響因素，以此明確了影響高分子電介質(zhì)復(fù)合材料的主要性能指標(biāo)。此外，圍繞介電常數(shù)與場(chǎng)強(qiáng)擊穿強(qiáng)度的主要理論模型進(jìn)行了深入的對(duì)比分析，從理論層面上分析了介電常數(shù)與場(chǎng)強(qiáng)擊穿強(qiáng)度的本質(zhì)。接著提出了主要的工程制備技術(shù)，如