本書首先深入探討了量子力學基礎及其在物質(zhì)、能帶理論、半導體和集成電路等領域的應用。從電子的波動性質(zhì)、不確定性原理到量子隧穿效應，逐步揭示量子世界的奧秘。接著，通過能帶理論和半導體能帶結(jié)構(gòu)的解析，闡明了半導體材料的電子行為。此外，還詳細介紹了摻雜半導體、晶格振動以及載流子輸運現(xiàn)象等關鍵概念。最后，探討了MOS結(jié)構(gòu)、場效應

本書為1X電子裝聯(lián)職業(yè)技能等級證書（高級）考核配套題庫，以職業(yè)技能等級標準和培訓教材（高級）為依據(jù)進行編寫。題庫重點圍繞生產(chǎn)管理與準備、焊膏貼片膠涂敷、元器件貼裝、電子裝聯(lián)微焊接、自動接觸式與非接觸式檢測、返修技術(shù)、特種微焊接、故障診斷、分析與可靠性等角度進行。題庫分為知識要求試題和技能要求試題兩部分，并附有知識要求試

《碳化硅器件工藝核心技術(shù)》共9章，以碳化硅(SiC)器件工藝為核心，重點介紹了SiC材料生長、表面清洗、歐姆接觸、肖特基接觸、離子注入、干法刻蝕、電解質(zhì)制備等關鍵工藝技術(shù)，以及高功率SiC單極和雙極開關器件、SiC納米結(jié)構(gòu)的制造和器件集成等，每一部分都涵蓋了上百篇相關文獻，以反映這些方面的最新成果和發(fā)展趨勢�！短蓟�硅器

本書不僅介紹了半導體器件中所涉及材料的刻蝕工藝，而且對每種材料的關鍵刻蝕參數(shù)、對應的等離子體源和刻蝕氣體化學物質(zhì)進行了詳細解釋。本書討論了具體器件制造流程中涉及的干法刻蝕技術(shù)，介紹了半導體廠商實際使用的刻蝕設備的類型和等離子體產(chǎn)生機理，例如電容耦合型等離子體、磁控反應離子刻蝕、電子回旋共振等離子體和電感耦合型等離子體，

本書系統(tǒng)地討論了第三代半導體材料SiC和GaN的物理特性，以及功率應用中不同類型的器件結(jié)構(gòu)，同時詳細地討論了SiC和GaN功率器件的設計、制造，以及智能功率集成中的技術(shù)細節(jié)。也討論了寬禁帶半導體功率器件的柵極驅(qū)動設計，以及SiC和GaN功率器件的應用。最后對寬禁帶半導體功率器件的未來發(fā)展進行了展望。

本書主要介紹了基于光學超晶格的光波長轉(zhuǎn)換技術(shù)，首先介紹了光學超晶格的基本概念以及基于光學超晶格的光波長轉(zhuǎn)換基本原理，其中包括基于不同效應的光波長轉(zhuǎn)換原理及實現(xiàn)方案、耦合波方程的龍格庫塔解法、遺傳算法在光學超晶格結(jié)構(gòu)設計中的應用；然后分別講解了均勻分段結(jié)構(gòu)光學超晶格、階梯分段結(jié)構(gòu)光學超晶格、啁啾結(jié)構(gòu)光學超晶格及其在光波長

本書以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導體制造工藝的各個技術(shù)環(huán)節(jié)。全書共分為11章，分別是：功率半導體的全貌、功率半導體的基本原理、各種功率半導體的原理和作用、功率半導體的用途與市場、功率半導體的分類、用于功率半導體的硅片、功率半導體制造工藝的特點、功率半導體生產(chǎn)企業(yè)介紹、硅基功率半導體的發(fā)展、挑戰(zhàn)硅極限的碳化硅與氮化

本書基于當前半導體行業(yè)制造過程中存在的問題，介紹了多種改進的批間控制和過程監(jiān)控算法及其性能。第1章為半導體制造過程概述，包括國內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。第2、3章介紹批間控制、控制性能和制造過程監(jiān)控。第4～7章討論機臺干擾、故障、度量時延對系統(tǒng)性能的影響，提出多種批間控制衍生算法，包括雙產(chǎn)品制程的EWMA批間控制算法、變

集成電路制造向幾納米節(jié)點工藝的發(fā)展，需要具有原子級保真度的刻蝕技術(shù)，原子層刻蝕（ALE）技術(shù)應運而生�！栋雽�體干法刻蝕技術(shù)：原子層工藝》主要內(nèi)容有：熱刻蝕、熱各向同性ALE、自由基刻蝕、定向ALE、反應離子刻蝕、離子束刻蝕等，探討了尚未從研究轉(zhuǎn)向半導體制造的新興刻蝕技術(shù)，涵蓋了定向和各向同性ALE的全新研究和進展�！栋�

本書以工程應用為目標，聚焦基本概念與原理、表面組裝核心工藝、主要組裝工藝問題及最新應用問題，以圖文并茂的形式，介紹了焊接的基礎原理與概念、表面組裝的核心工藝與常見不良現(xiàn)象，以及組裝工藝帶來的可靠性問題。全書結(jié)合內(nèi)容需求，編入了幾十個經(jīng)典案例，這些案例非常典型，不僅有助于讀者深入理解有關工藝的概念和原理，也可作為類似不良