本書主要描述常用半導體器件的基本結構、工作原理以及電特性。內容包括：半導體物理基礎、PN結、PN結二極管應用、雙極型晶體管、結型場效應晶體管、MOSFET以及新型場效應晶體管，如FinFET、SOIFET、納米線圍柵(GAA)FET等，共計七章。與同類教材比較，本教材增加了pn結二極管應用以及新型場效應晶體管的介紹，反

《半導體先進封裝技術》作者在半導體封裝領域擁有40多年的研發(fā)和制造經(jīng)驗�！栋雽�體先進封裝技術》共分為11章，重點介紹了先進封裝，系統(tǒng)級封裝，扇入型晶圓級/板級芯片尺寸封裝，扇出型晶圓級/板級封裝，2D、2.1D和2.3DIC集成，2.5DIC集成，3DIC集成和3DIC封裝，混合鍵合，芯粒異質集成，低損耗介電材料和先進

本書比較全面地介紹了當前表面組裝技術(SMT)生產(chǎn)線及主要設備、建線工程、設備選型、基板、元器件、工藝材料等基礎知識和表面組裝印制電路板可制造性設計(DFM)等內容。全書分為6章，分別是第1章緒論、第2章SMT生產(chǎn)材料準備、第3章SMT涂敷工藝技術、第4章MT貼裝工藝技術、第5章MT檢測工藝技術、第6章MT清洗工藝技術

本書旨在向材料及微電子集成相關專業(yè)的高年級本科生、研究生及從事材料與器件集成行業(yè)的科研人員介紹柵介質材料制備與相關器件集成的專業(yè)技術。本書共10章，包括了集成電路的發(fā)展趨勢及后摩爾時代的器件挑戰(zhàn)，柵介質材料的基本概念及物理知識儲備，柵介質材料的基本制備技術及表征方法；著重介紹了柵介質材料在不同器件中的集成應用，如高κ與

本書介紹了當前主流的光學光刻、先進的極紫外光刻以及下一代光刻技術。主要內容涵蓋了光刻理論、工藝、材料、設備、關鍵部件、分辨率增強、建模與仿真、典型物理與化學效應等，包括光刻技術的前沿進展，還總結了極紫外光刻的特點、存在問題與發(fā)展方向。

全書共分為4章，系統(tǒng)闡述了輻射誘導半導體缺陷的相關理論、數(shù)值模擬方法、表征技術及應用�？臻g輻射誘導缺陷是導致電子元器件性能退化的重要原因，然而輻射誘導缺陷的形成、演化和性質與半導體材料本身物理屬性、器件類型及結構密切相關。

本書概述了氮化物半導體及其在功率電子和光電子器件中的應用，解釋了這些材料的物理特性及其生長方法，詳細討論了它們在高電子遷移率晶體管、垂直型功率器件、發(fā)光二極管、激光二極管和垂直腔面發(fā)射激光器中的應用。本書進一步研究了這些材料的可靠性問題，并提出了將它們與2D材料結合用于新型高頻和高功率器件的前景。本書具有較好的指導性和

超結是功率半導體器件領域的創(chuàng)新的耐壓層結構之一，它將常規(guī)阻型耐壓層質變?yōu)镻N結型耐壓層，突破了傳統(tǒng)比導通電阻和耐壓之間的硅極限關系（Ron,spVB^2.5），將2.5次方關系降低為1.32次方，甚至是1.03次方關系，被譽為功率半導體器件發(fā)展的里程碑。本書概述了功率半導體器件的基本信息，重點介紹了作者在功率超結器件研

本書主要以幾種新型的納米多孔GaN基薄膜為研究對象，系統(tǒng)地介紹了其納米孔結構的制備及特性研究，為其在光解水、發(fā)光器件、柔性器件及可穿戴設備等領域的應用奠定了理論和實驗基礎。

本書內容包括4部分。第1部分介紹功率半導體器件的分類及發(fā)展歷程，主要包括功率半導體器件這個“大家族”的主要成員及各自的特點和發(fā)展歷程。第2部分介紹功率二極管，在傳統(tǒng)的功率二極管（肖特基二極管和PiN二極管）的基礎上，增加了JBS二極管和MPS二極管等新型單、雙極型二極管的內容。第3部分介紹功率開關器件，主要分為傳統(tǒng)開關