本書以作者近年來的研究成果為基礎(chǔ)，結(jié)合國際研究進展，系統(tǒng)地介紹了金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體器件的物理特性和實現(xiàn)方法，重點介紹了氫終端金剛石場效應(yīng)管器件。全書共8章，內(nèi)容包括緒論、金剛石的表面終端、氫終端金剛石場效應(yīng)管的原理和優(yōu)化、金剛石微波功率器件、基于各種介質(zhì)的氫終端金剛石MOSFET、金剛石高壓二極管、石墨烯/金剛石復(fù)合

本書主要介紹近幾年發(fā)展較快的氧化鎵半導(dǎo)體器件。氧化鎵作為新型的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，在高耐壓功率電子器件、紫外光電探測器件等方面都具有重要的應(yīng)用前景。本書共分為7章，第1~4章（氧化鎵材料部分）介紹了氧化鎵半導(dǎo)體材料的基本結(jié)構(gòu)，單晶生長和薄膜外延方法，電學(xué)特性，氧化鎵材料與金屬、其他半導(dǎo)體的接觸，氧化鎵材料的刻蝕、離子注

隨著太赫茲技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)固態(tài)器件在耐受功率等方面已經(jīng)很難提升，導(dǎo)致現(xiàn)有的太赫茲源輸出功率低，不能滿足太赫茲系統(tǒng)工程化的需求。寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵具有更高擊穿場強、更高熱導(dǎo)率和更低介電常數(shù)的優(yōu)點，在研制大功率固態(tài)源、高速調(diào)制和高靈敏探測方面具有優(yōu)勢。本書主要介紹氮化物太赫茲器件的最新進展，包括氮化鎵太赫茲二極管、三極管、

氧化鎵作為新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應(yīng)用前景。本書從氧化鎵半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程、材料特性、材料制備原理與技術(shù)及電學(xué)性質(zhì)調(diào)控等幾個方面做了較全面的介紹，重點梳理了作者及國內(nèi)外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果；系統(tǒng)闡述了獲得高質(zhì)量體塊單晶及薄膜的

本書以第三代半導(dǎo)體與二維材料相結(jié)合的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用為目標，詳細介紹了二維材料上準范德華外延氮化物的理論計算、材料生長、器件制備和應(yīng)用，內(nèi)容集學(xué)術(shù)性與實用性于一體。全書共8章，內(nèi)容包括二維材料及準范德華外延原理及應(yīng)用、二維材料/氮化物準范德華外延界面理論計算、二維材料/氮化物準范德華外延成鍵成核、單晶襯底上氮化物薄膜準范德華

氮化鋁晶體具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強等優(yōu)勢，是制備紫外發(fā)光器件和大功率電力電子器件的理想材料。本書以作者多年的研究成果為基礎(chǔ)，參考國內(nèi)外的最新研究成果，詳細介紹了氮化鋁單晶材料生長與器件制備的基本原理、技術(shù)工藝、最新進展及發(fā)展趨勢。本書共7章，內(nèi)容包括氮化鋁單晶材料的基本性質(zhì)、缺陷及其生長的物理基礎(chǔ)，物理氣相傳輸

本書以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導(dǎo)體制造工藝的各個技術(shù)環(huán)節(jié)。全書共分為10章，包括俯瞰功率半導(dǎo)體工藝全貌、功率半導(dǎo)體的基礎(chǔ)知識及運作、各種功率半導(dǎo)體的作用、功率半導(dǎo)體的用途與市場、功率半導(dǎo)體的分類、用于功率半導(dǎo)體的硅晶圓、硅功率半導(dǎo)體的發(fā)展、挑戰(zhàn)硅極限的SiC與GaN、功率半導(dǎo)體制造過程的特征、功率半導(dǎo)體開辟綠色

激光熱敏光刻具有以下特點:1)寬波段光刻,這類光刻膠的吸收光譜一般都覆蓋從近紅外到極紫外的整個光刻曝光的波段,可以稱之為寬波段光刻膠;2)突破衍射極限的光刻,光刻特征尺寸不再受制于光學(xué)衍射極限,而是取決于熱致結(jié)構(gòu)變化區(qū)域的尺寸;3)跨尺度光刻,光刻中激光光斑的強度一般呈高斯分布,光斑中心的溫度高,沿四周擴散并逐漸降低,

本書主要介紹了第一性原理及其在計算機模擬中各種參數(shù)的設(shè)置問題和實際模擬中的參數(shù)選擇,以及該方法在基于表面改性設(shè)計的氮化鎵/氮化銦納米線、氮化鎵納米薄膜等納米材料在外場(電場或應(yīng)變場)作用下電學(xué)性質(zhì)和磁學(xué)性質(zhì)研究中的應(yīng)用,并將材料進一步拓展到外場下表面改性的類石墨烯(錫烯和鍺烯等)納米材料。

功率半導(dǎo)體器件封裝技術(shù)