目錄
第1章 薄膜的概念及應(yīng)用 1
1.1 薄膜技術(shù)的發(fā)展歷史及薄膜的定義 1
1.2 薄膜的特點(diǎn) 4
1.3 薄膜的分類及用途 5
1.3.1 電學(xué)薄膜 5
1.3.2 光學(xué)薄膜 6
1.3.3 力學(xué)薄膜 7
1.3.4 有機(jī)分子薄膜 8
1.4 學(xué)習(xí)薄膜技術(shù)的意義 9
習(xí)題 10
第2章 真空技術(shù)基礎(chǔ) 11
2.1 真空的定義與真空區(qū)域劃分 11
2.1.1 真空的定義及單位 11
2.1.2 真空區(qū)域的劃分 12
2.2 稀薄氣體的基本性質(zhì) 13
2.2.1 氣體分子的速率分布 14
2.2.2 平均自由程 15
2.2.3 碰撞次數(shù)與余弦散射律 16
2.3 真空的獲得 18
2.3.1 機(jī)械泵 20
2.3.2 擴(kuò)散泵 22
2.3.3 分子泵與羅茨泵 23
2.4 真空的測量 24
2.4.1 熱偶真空計(jì) 24
2.4.2 電離真空計(jì) 25
習(xí)題 27
第3章 真空蒸發(fā)鍍膜 28
3.1 真空蒸發(fā)鍍膜的原理 28
3.1.1 真空蒸發(fā)的特點(diǎn)與蒸發(fā)過程 28
3.1.2 飽和蒸氣壓和蒸氣壓方程 30
3.1.3 蒸發(fā)速率 31
3.2 蒸發(fā)源的蒸發(fā)特性及膜厚分布 32
3.2.1 點(diǎn)蒸發(fā)源 33
3.2.2 小平面蒸發(fā)源 34
3.2.3 實(shí)際蒸發(fā)源的特性 35
3.3 蒸發(fā)源的類型 36
3.3.1 電阻蒸發(fā)源 36
3.3.2 電子束蒸發(fā)源 39
3.3.3 高頻感應(yīng)蒸發(fā)源 42
3.4 合金及化合物的蒸發(fā) 42
3.4.1 合金的蒸發(fā) 42
3.4.2 化合物的蒸發(fā) 44
3.5 薄膜厚度的分類與測量 48
3.5.1 薄膜厚度的分類 48
3.5.2 薄膜厚度的測量 50
習(xí)題 52
第4章 濺射鍍膜 53
4.1 濺射鍍膜的定義與特點(diǎn) 53
4.2 濺射的基本原理 55
4.2.1 輝光放電 55
4.2.2 濺射特性 60
4.2.3 濺射鍍膜過程 67
4.2.4 濺射機(jī)理 71
4.3 濺射鍍膜類型 72
習(xí)題 82
第5章 化學(xué)氣相沉積 83
5.1 化學(xué)氣相沉積的概念與基本原理 83
5.1.1 化學(xué)氣相沉積的概念 83
5.1.2 CVD法的基本原理 83
5.1.3 CVD法制備薄膜的主要階段 85
5.1.4 CVD法的反應(yīng)類型 85
5.2 化學(xué)氣相沉積的特點(diǎn) 87
5.3 化學(xué)氣相沉積法的分類 88
習(xí)題 96
第6章 溶液鍍膜 97
6.1 化學(xué)鍍 97
6.2 溶膠-凝膠法 98
6.3 陽極氧化法 100
6.4 LB 膜的制備方法 101
習(xí)題 104
第7章 薄膜的形成機(jī)理 105
7.1 凝結(jié)的形成 105
7.1.1 吸附過程 105
7.1.2 表面擴(kuò)散過程 107
7.1.3 凝結(jié)過程 108
7.2 核形成與生長 110
7.2.1 核形成與生長的物理過程 111
7.2.2 核形成理論 111
7.3 薄膜形成過程與生長形式 119
7.4 濺射薄膜的形成過程 122
7.4.1 陰極濺射法制備薄膜與真空蒸發(fā)法制備薄膜的不同 122
7.4.2 實(shí)驗(yàn)現(xiàn)象觀察 123
7.4.3 濺射薄膜的形成過程概述 123
習(xí)題 125
第8章 薄膜結(jié)構(gòu)、缺陷與表征 126
8.1 薄膜的結(jié)構(gòu) 126
8.1.1 薄膜的組織結(jié)構(gòu) 126
8.1.2 薄膜的晶體結(jié)構(gòu) 128
8.1.3 薄膜的表面結(jié)構(gòu) 129
8.2 薄膜的缺陷 133
8.3 薄膜成分與結(jié)構(gòu)分析技術(shù) 135
習(xí)題 146
第9章 薄膜的電學(xué)性質(zhì) 147
9.1 塊狀金屬的導(dǎo)電性質(zhì) 147
9.2 連續(xù)金屬膜的導(dǎo)電性質(zhì) 149
9.3 不連續(xù)金屬膜的導(dǎo)電性質(zhì) 153
9.4 薄膜的電學(xué)性能測量 157
習(xí)題 159
參考文獻(xiàn) 160