本書立足于學界對稀磁半導體中是否存在鐵磁性及其內在磁性機制的較大爭議問題，基于“三族氮化物稀磁半導體”在自旋電子學領域的潛在應用，在自主研究與實驗基礎上，提出了稀磁半導體應用面臨的困境以及解決路徑，即重點采用非磁性元素(Sn、Ti)摻雜和缺陷誘導成功地制備出具有室溫鐵磁性的AlN基稀磁半導體，并探測出其鐵磁性規(guī)律及其應用價值。本書介紹了稀磁半導體的概念、制備方法、面臨的問題及AlN基稀磁半導體的研究進展和尚待解決的問題；材料物理基礎和固體理論。作者的主要創(chuàng)造性工作：一是采用非磁性元素(Sn、Ti)摻雜和缺陷誘導成功制備出具有室溫鐵磁性的AlN基稀磁半導體；二是采用缺陷誘導成功制備出具有室溫鐵磁性的硫化物基稀磁半導體。這一研究不僅對AlN基稀磁半導體從理論到實驗進行詳細論述與論證，而且實現(xiàn)了自旋電子學的一個突破。既具有學術價值，也具有時代價值和現(xiàn)實意義。