砷化鎵作為最重要的第二代半導(dǎo)體襯底材料，廣泛應(yīng)用在微電子領(lǐng)域和光電子領(lǐng)域中。高質(zhì)量的砷化鎵襯底要求表面/亞表面無(wú)損傷、晶格保持完整、表面粗糙度要求達(dá)到亞納米量級(jí)，而化學(xué)機(jī)械拋光是目前最有效能夠?qū)崿F(xiàn)該項(xiàng)需求的技術(shù)�，F(xiàn)有關(guān)于砷化鎵材料去除的研究主要在化學(xué)機(jī)械拋光復(fù)雜環(huán)境中進(jìn)行，通過(guò)實(shí)驗(yàn)研究不同工藝參數(shù)對(duì)材料去除率的影響規(guī)律，缺乏對(duì)砷化鎵材料去除過(guò)程中化學(xué)機(jī)械耦合關(guān)系的建立，缺乏宏觀和微觀實(shí)驗(yàn)相互佐證的砷化鎵材料去除機(jī)理的實(shí)驗(yàn)研究，也很少涉及對(duì)砷化鎵晶面各向異性、砷化鎵極性、磨粒種類等對(duì)砷化鎵微觀材料去除機(jī)制研究，導(dǎo)致目前砷化鎵的化學(xué)機(jī)械拋光仍存在材料去除率低、全局平坦化缺陷控制難等問(wèn)題。