本書系統(tǒng)闡述了表面組裝元器件、表面組裝材料、表面組裝工藝、表面組裝設備原理及應用等SMT基礎內(nèi)容。針對SMT產(chǎn)品制造業(yè)的技術發(fā)展及崗位需求，詳細介紹了表面組裝技術的SMB設計與制造、焊錫膏印刷、點膠、貼片、波峰與再流焊接、檢驗、清洗等基本技能。為解決學校實訓條件不足和增加學生感性認識的需要，書中配置了較大數(shù)量的實物圖片

薄膜晶體管（TFT）是一種金屬-絕緣層-半導體場效應管，迄今已經(jīng)歷了60年的發(fā)展，在原理與技術方面的創(chuàng)新層出不窮�！侗∧ぞ�體管原理與技術》首先概述TFT的物理基礎及典型薄膜工藝原理；接著以氫化非晶硅、低溫多晶硅、金屬氧化物和有機TFT為主，系統(tǒng)介紹TFT相關的材料、器件及制備技術；再以有源驅(qū)動液晶顯示和有機發(fā)光顯示兩種

本書沿半導體全產(chǎn)業(yè)鏈的發(fā)展歷程，分基礎、應用與制造三條主線展開。其中，基礎線主要覆蓋與半導體材料相關的量子力學、凝聚態(tài)物理與光學的一些常識。應用線從晶體管與集成電路的起源開始，逐步過渡到半導體存儲與通信領域。制造線以集成電路為主展開，并介紹了相應的半導體材料與設備。三條主線涉及了大量與半導體產(chǎn)業(yè)相關的歷史。筆者希望能夠

本書共六章,內(nèi)容包括:緒論、硅膠基間接固態(tài)發(fā)光氮摻雜碳點的構筑及其在黃光發(fā)光二級管中的應用、聚乙烯醇基間接固態(tài)發(fā)光氮硫共摻雜碳點的構筑及其在暖白光發(fā)光二級管中的應用、直接固態(tài)發(fā)光氮摻雜碳點的構筑及其在多色發(fā)光二級管中的應用、氮硫共摻雜碳點的構筑及其在倒置太陽能電池中的應用、結論與展望。

本書以作者近年來的研究成果為基礎，結合國際研究進展，系統(tǒng)地介紹了金剛石超寬禁帶半導體器件的物理特性和實現(xiàn)方法，重點介紹了氫終端金剛石場效應管器件。全書共8章，內(nèi)容包括緒論、金剛石的表面終端、氫終端金剛石場效應管的原理和優(yōu)化、金剛石微波功率器件、基于各種介質(zhì)的氫終端金剛石MOSFET、金剛石高壓二極管、石墨烯/金剛石復合

本書主要介紹近幾年發(fā)展較快的氧化鎵半導體器件。氧化鎵作為新型的超寬禁帶半導體材料，在高耐壓功率電子器件、紫外光電探測器件等方面都具有重要的應用前景。本書共分為7章，第1~4章（氧化鎵材料部分）介紹了氧化鎵半導體材料的基本結構，單晶生長和薄膜外延方法，電學特性，氧化鎵材料與金屬、其他半導體的接觸，氧化鎵材料的刻蝕、離子注

隨著太赫茲技術的發(fā)展，傳統(tǒng)固態(tài)器件在耐受功率等方面已經(jīng)很難提升，導致現(xiàn)有的太赫茲源輸出功率低，不能滿足太赫茲系統(tǒng)工程化的需求。寬禁帶半導體氮化鎵具有更高擊穿場強、更高熱導率和更低介電常數(shù)的優(yōu)點，在研制大功率固態(tài)源、高速調(diào)制和高靈敏探測方面具有優(yōu)勢。本書主要介紹氮化物太赫茲器件的最新進展，包括氮化鎵太赫茲二極管、三極管、

氧化鎵作為新型的寬禁帶半導體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應用前景。本書從氧化鎵半導體材料的發(fā)展歷程、材料特性、材料制備原理與技術及電學性質(zhì)調(diào)控等幾個方面做了較全面的介紹，重點梳理了作者及國內(nèi)外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果；系統(tǒng)闡述了獲得高質(zhì)量體塊單晶及薄膜的

本書以第三代半導體與二維材料相結合的產(chǎn)業(yè)化應用為目標，詳細介紹了二維材料上準范德華外延氮化物的理論計算、材料生長、器件制備和應用，內(nèi)容集學術性與實用性于一體。全書共8章，內(nèi)容包括二維材料及準范德華外延原理及應用、二維材料/氮化物準范德華外延界面理論計算、二維材料/氮化物準范德華外延成鍵成核、單晶襯底上氮化物薄膜準范德華

氮化鋁晶體具有寬帶隙、高熱導率、高擊穿場強等優(yōu)勢，是制備紫外發(fā)光器件和大功率電力電子器件的理想材料。本書以作者多年的研究成果為基礎，參考國內(nèi)外的最新研究成果，詳細介紹了氮化鋁單晶材料生長與器件制備的基本原理、技術工藝、最新進展及發(fā)展趨勢。本書共7章，內(nèi)容包括氮化鋁單晶材料的基本性質(zhì)、缺陷及其生長的物理基礎，物理氣相傳輸