本書主要依據(jù)作者研究團隊及國內(nèi)外金屬有機框架材料（MOFS）與半導體復合材料的研究進展，系統(tǒng)介紹了不同種類的MOFS半導體異質(zhì)結構制備方法，表征手段，電荷傳遞路徑，在不同污染環(huán)境中的催化應用以及光催化性能機理解釋。最后，闡述了此類異質(zhì)結構在工業(yè)應用中的未來方向和發(fā)展前景。 本書可供從事金屬有機框架材料及其光電

本書就電子裝聯(lián)所用焊料、助焊劑、線材、絕緣材料的特性及使用和選型，針對工藝技術的特點和要求做了較為詳細的介紹。尤其對常常困擾電路設計和工藝人員的射頻同軸電纜導線的使用問題進行了全面的分析。對于手工焊接的可靠性問題、整機接地與布線處理的電磁兼容性問題、工藝文件的編制、電子裝聯(lián)檢驗的理念和操作等內(nèi)容，本書不僅在理論上，還在

以日本碳化硅學術界元老京都大學名譽教授松波弘之、關西學院大學知名教授大谷昇、京都大學實力派教授木本恒暢和企業(yè)實力代表羅姆株式會社的中村孝先生為各技術領域的牽頭，集日本半導體全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)學研各界中的骨干代表，在各自的研究領域結合各自多年的實際經(jīng)驗，撰寫了這本囊括碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的技術焦點，以技術為主導、以應用為目的的實用型

近年來.以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬禁帶半導體化合物為代表的第三代半導體材料引發(fā)全球矚目.第三代半導體廣泛應用于新一代移動通信、新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)和國防電子等產(chǎn)業(yè).已成為國際半導體領域的重點研究方向.本書主要介紹垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工藝、特性和可靠性等相關技術.內(nèi)容涵蓋垂直型和橫向功率半導體

傳統(tǒng)軟釬料合金在微電子工業(yè)中已得到了廣泛的應用,然而軟釬料合金已經(jīng)不能滿足第三代寬禁帶半導體(碳化硅和氮化鎵)器件的高溫應用需求。新型銀燒結/銅燒結技術和瞬態(tài)液相鍵合技術是實現(xiàn)高溫器件可靠連接的關鍵技術,該技術對新能源電動汽車、軌道交通、光伏、風電以及國防等領域具有重要意義。本書較為全面地介紹了當前用于高溫環(huán)境下的芯片

本書以簡潔明了的結構向讀者展現(xiàn)了半導體制造工藝中使用的設備基礎和構造。全書涵蓋了半導體制造設備的現(xiàn)狀以及展望，同時對清洗和干燥設備、離子注入設備、熱處理設備、光刻設備、蝕刻設備、成膜設備、平坦化設備、監(jiān)測和分析設備、后段制程設備等逐章進行解說。雖然包含了很多生澀的詞匯，但難能可貴的是全書提供了豐富的圖片和表格，幫助讀者

本書面向世界科技前沿和國家重大需求，針對高效率Ⅲ族氮化物LED芯片設計和制造的關鍵問題，基于作者在III族氮化物LED外延生長和芯片制造領域十余年的研究基礎和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗，融入國內(nèi)外同行在這一領域的研究成果，從藍光/綠光/紫外LED外延結構設計與材料生長、水平結構/倒裝結構/垂直結構/高壓LED芯片設計與制造工藝、LED

主要內(nèi)容共6章，包括：緒論、壓接型IGBT器件失效模擬與可靠性評估、金屬化膜電容器失效模擬與可靠性評估、采用關鍵部件故障率模型的換流閥可靠性評估模型、采用關鍵部件物理場失效模擬的換流閥可靠性評估模型、換流閥可靠性評估軟件。全書以壓接型IGBT器件、金屬化膜電容器等柔直換流閥核心部件可靠性分析為基礎，系統(tǒng)闡述了柔性直流換

本書力求深入淺出、淺顯易懂。面向的對象既包含具有一定半導體知識的讀者，也包含與半導體商務相關的人士、準備涉足半導體領域的人士、感興趣的職場人士、學生等。書中包含了專業(yè)性的描述，但大多數(shù)內(nèi)容都盡量寫得通俗易懂。有些地方如果不能馬上理解，積累經(jīng)驗后再讀就容易理解了。此外，對于有一定經(jīng)驗的讀者，通過整理自己的知識，嘗試去理解

本書重點討論了與氮化鎵（GaN）器件相關的內(nèi)容，共分15章，每一章都圍繞不同的主題進行論述，涵蓋GaN材料、與CMOS工藝兼容的GaN工藝、不同的GaN器件設計、GaN器件的建模、GaN器件的可靠性表征以及GaN器件的應用。本書的特點是每一章都由全球不同的從事GaN研究機構的專家撰寫，引用了大量的代表新成果的文獻，適合