。本冊(cè)為《半導(dǎo)體工藝原理》，主要內(nèi)容包括：鍺和硅的化學(xué)制備與提純、半導(dǎo)體材料的生長(zhǎng)、硅片加工、氧化工藝、薄膜沉積工藝、外延工藝、光刻工藝概述、光刻設(shè)備、光刻材料、刻蝕工藝、摻雜工藝等。

本書系統(tǒng)總結(jié)具有電子相變特性的過(guò)渡族化合物半導(dǎo)體材料體系，詳細(xì)介紹其晶體結(jié)構(gòu)、電輸運(yùn)與磁性、電子相轉(zhuǎn)變?cè)�理、材料合成與潛在應(yīng)用等。全書共12章，其中第1章總述現(xiàn)有電子相變材料體系以及常見電子相變?cè)�理。由于具有相同的價(jià)電子數(shù)的過(guò)渡族元素的化合物中的軌道構(gòu)型具有一定相近性，第2～11章將進(jìn)一步按照副族周期元素對(duì)三十余種電子

第一章介紹了光子計(jì)算機(jī)發(fā)展的歷史以及神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)的概念。第二章重點(diǎn)介紹了物理儲(chǔ)層計(jì)算的原理，以及一些與光子計(jì)算相關(guān)的重要概念——品質(zhì)因數(shù)、拓?fù)渚W(wǎng)絡(luò)、線性和非線性記憶容量。第三章介紹了儲(chǔ)層集成的最新技術(shù)，主要集中在被動(dòng)架構(gòu)的實(shí)現(xiàn)，以及如何通過(guò)光電探測(cè)器實(shí)現(xiàn)非線性變換的原理。第四章介紹了大規(guī)模光子儲(chǔ)層的潛力，重點(diǎn)討論了幾種可以

本書共8章。其中，第1章介紹Si基GaN材料與芯片的研究意義，著重分析了GaN材料的性質(zhì)和Si基GaN外延材料與芯片制備的發(fā)展歷程。第2章從Si基GaN材料的外延生長(zhǎng)機(jī)理出發(fā)，依次介紹了GaN薄膜、零維GaN量子點(diǎn)、一維GaN納米線和二維GaN生長(zhǎng)所面臨的技術(shù)難點(diǎn)及對(duì)應(yīng)的生長(zhǎng)技術(shù)調(diào)控手段。第3～7章依次介紹了Si基Ga

本教程在簡(jiǎn)要介紹MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上，全面敘述了MOSFET基本電學(xué)特性和二階效應(yīng)；介紹了MOSFET器件模型及建模測(cè)試結(jié)構(gòu)和方案設(shè)計(jì)；給出了MOSFETBSIM模型參數(shù)提取流程；介紹了半導(dǎo)體器件SPICE模型建模平臺(tái)EmpyreanXModel，深入介紹了XModel的基本功能和界面；介

本書主要介紹薄膜晶體管（TFT）集成電路技術(shù)領(lǐng)域的基礎(chǔ)知識(shí)和作者在該領(lǐng)域的代表性研究成果。內(nèi)容涵蓋圖像顯示和圖像傳感器件所需的TFT集成電路技術(shù)，如像素TFT電路、行驅(qū)動(dòng)（掃描）TFT電路以及列（數(shù)據(jù)）驅(qū)動(dòng)TFT電路等。全書共5章，分別為：薄膜晶體管（TFT）概述，有源矩陣液晶顯示（AMLCD）TFT電路，有源矩陣有機(jī)

本書將半導(dǎo)體技術(shù)60多年的發(fā)展史濃縮在有限的篇幅里，通過(guò)簡(jiǎn)明扼要的語(yǔ)言為我們講述關(guān)于芯片的那些事兒。本書主要圍繞“史前文明”——電子管時(shí)代、“新石器時(shí)代”——晶體管時(shí)代、“戰(zhàn)國(guó)時(shí)代”——中小規(guī)模集成電路時(shí)代、“大一統(tǒng)秦朝”——大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路時(shí)代、“大唐盛世”——特大規(guī)模和巨大規(guī)模集成電路時(shí)代、“走進(jìn)新時(shí)代”—

本書力圖全面深入地介紹太陽(yáng)能電池的原理、技術(shù)與應(yīng)用，為讀者提供一本兼具理論深度和實(shí)踐指導(dǎo)的權(quán)威之作。本書詳細(xì)闡釋了太陽(yáng)能與太陽(yáng)能電池的基本物理原理與特性，系統(tǒng)梳理了各類太陽(yáng)能電池的發(fā)展脈絡(luò)，深入探討了太陽(yáng)能電池的測(cè)試原理與分析方法，重點(diǎn)介紹了太陽(yáng)能電池性能提升的前沿技術(shù)，進(jìn)一步闡述了光伏發(fā)電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與應(yīng)用。

本書內(nèi)容主要內(nèi)容為概述、IGBT模塊電氣特性、驅(qū)動(dòng)器設(shè)計(jì)、IGBT多器件驅(qū)動(dòng)控制技術(shù)、驅(qū)動(dòng)器可靠性設(shè)計(jì)、驅(qū)動(dòng)器試驗(yàn)及測(cè)試、大功率IGBT驅(qū)動(dòng)器應(yīng)用案例。本書系統(tǒng)、深入地闡述了IGBT及其驅(qū)動(dòng)器的技術(shù)發(fā)展等。

本書為《新興半導(dǎo)體》分冊(cè)。新興半導(dǎo)體發(fā)展迅速、應(yīng)用領(lǐng)域廣泛、產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)性強(qiáng)、節(jié)能潛力大，被公認(rèn)為最有發(fā)展前景的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在消費(fèi)類電子、5G通訊、新能源汽車、智能電網(wǎng)、航天等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本分冊(cè)圍繞新興半導(dǎo)體這一“核芯”領(lǐng)域，從高載流子遷移率半導(dǎo)體材料、憶阻半導(dǎo)體材料、新型紅外半導(dǎo)體材料及超寬禁帶半導(dǎo)體材料