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"為了應(yīng)對我國在集成電路領(lǐng)域,尤其是光刻技術(shù)方面嚴(yán)重落后于發(fā)達國家的局面,破解光刻制造設(shè)備、材料和光學(xué)鄰近效應(yīng)修正軟件幾乎完全依賴進口的困境,作為從事光刻工藝研發(fā)近20年的資深研發(fā)人員,作者肩負(fù)著協(xié)助光刻設(shè)備、材料和軟件等產(chǎn)業(yè)鏈共同研發(fā)和發(fā)展的責(zé)任,將為了應(yīng)對我國在集成電路領(lǐng)域，尤其是光刻技術(shù)方面嚴(yán)重落后于發(fā)達國家的局

以GaN為襯底材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物（包括AlN、GaN、InN及相關(guān)合金）是極為重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，這類氮化物材料和器件的發(fā)展十分迅速。本書通過理論介紹與具體實驗范例相結(jié)合的方式對氮化物半導(dǎo)體材料及器件進行介紹，并系統(tǒng)地講解了目前廣泛應(yīng)用的氮化物光電器件與氮化物電力電子器件，使讀者能夠充分了解二者之間內(nèi)在的聯(lián)系與區(qū)

半導(dǎo)體制造作為微電子與集成電路行業(yè)中非常重要的環(huán)節(jié)，其工藝可靠性是決定芯片性能的關(guān)鍵。本書詳細(xì)描述和分析了半導(dǎo)體器件制造中的可靠性和認(rèn)定，并討論了基本的物理和理論。本書涵蓋了初始規(guī)范定義、測試結(jié)構(gòu)設(shè)計、測試結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)分析，以及工藝的最終認(rèn)定，是一本實用的、全面的指南，提供了驗證前端器件和后端互連的測試結(jié)構(gòu)設(shè)計的實際范例。

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