本書為《新興半導(dǎo)體》分冊(cè)。新興半導(dǎo)體發(fā)展迅速、應(yīng)用領(lǐng)域廣泛、產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)性強(qiáng)、節(jié)能潛力大，被公認(rèn)為最有發(fā)展前景的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在消費(fèi)類電子、5G通訊、新能源汽車、智能電網(wǎng)、航天等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本分冊(cè)圍繞新興半導(dǎo)體這一“核芯”領(lǐng)域，從高載流子遷移率半導(dǎo)體材料、憶阻半導(dǎo)體材料、新型紅外半導(dǎo)體材料及超寬禁帶半導(dǎo)體材料

本書詳細(xì)介紹了多芯片SiCMOSFET功率模塊設(shè)計(jì)所面臨的物理挑戰(zhàn)及相應(yīng)的工程解決方案，主要內(nèi)容包括多芯片功率模塊、功率模塊設(shè)計(jì)及應(yīng)用、功率模塊優(yōu)化設(shè)計(jì)、功率模塊壽命評(píng)估方法、耐高溫功率模塊、功率模塊先進(jìn)評(píng)估技術(shù)、功率模塊退化監(jiān)測(cè)技術(shù)、功率模塊先進(jìn)熱管理方案、功率模塊新興的封裝技術(shù)等。本書所有章節(jié)均旨在提供關(guān)于多芯片S

"為了應(yīng)對(duì)我國(guó)在集成電路領(lǐng)域,尤其是光刻技術(shù)方面嚴(yán)重落后于發(fā)達(dá)國(guó)家的局面,破解光刻制造設(shè)備、材料和光學(xué)鄰近效應(yīng)修正軟件幾乎完全依賴進(jìn)口的困境,作為從事光刻工藝研發(fā)近20年的資深研發(fā)人員,作者肩負(fù)著協(xié)助光刻設(shè)備、材料和軟件等產(chǎn)業(yè)鏈共同研發(fā)和發(fā)展的責(zé)任,將為了應(yīng)對(duì)我國(guó)在集成電路領(lǐng)域，尤其是光刻技術(shù)方面嚴(yán)重落后于發(fā)達(dá)國(guó)家的局

以GaN為襯底材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物（包括AlN、GaN、InN及相關(guān)合金）是極為重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，這類氮化物材料和器件的發(fā)展十分迅速。本書通過(guò)理論介紹與具體實(shí)驗(yàn)范例相結(jié)合的方式對(duì)氮化物半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)行介紹，并系統(tǒng)地講解了目前廣泛應(yīng)用的氮化物光電器件與氮化物電力電子器件，使讀者能夠充分了解二者之間內(nèi)在的聯(lián)系與區(qū)

半導(dǎo)體制造作為微電子與集成電路行業(yè)中非常重要的環(huán)節(jié)，其工藝可靠性是決定芯片性能的關(guān)鍵。本書詳細(xì)描述和分析了半導(dǎo)體器件制造中的可靠性和認(rèn)定，并討論了基本的物理和理論。本書涵蓋了初始規(guī)范定義、測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、測(cè)試結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)分析，以及工藝的最終認(rèn)定，是一本實(shí)用的、全面的指南，提供了驗(yàn)證前端器件和后端互連的測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的實(shí)際范例。

本書概述了業(yè)界前沿研究者所采取的技術(shù)方法，以及他們所面臨的挑戰(zhàn)和在該領(lǐng)域所取得的進(jìn)展。具體內(nèi)容包括寬禁帶半導(dǎo)體器件中的熱問(wèn)題、氮化鎵(GaN)及相關(guān)材料的第一性原理熱輸運(yùn)建模、多晶金剛石從介觀尺度到納米尺度的熱輸運(yùn)、固體界面熱輸運(yùn)基本理論、氮化鎵界面熱導(dǎo)上限的預(yù)測(cè)和測(cè)量、AlGaN/GaNHEMT器件物理與電熱建模、氮

本書是國(guó)外學(xué)者們對(duì)寬禁帶半導(dǎo)體封裝技術(shù)和趨勢(shì)的及時(shí)總結(jié)。首先，對(duì)寬禁帶功率器件的發(fā)展趨勢(shì)做了總結(jié)和預(yù)演判斷，講述寬禁帶功率半導(dǎo)體的基本原理和特性，包括其獨(dú)特的物理和化學(xué)屬性，以及它們?cè)跇O端環(huán)境下的潛在優(yōu)勢(shì)。接著介紹封裝材料的選擇和特性，分別就互連技術(shù)和襯底展開論述，同時(shí)，介紹了磁性材料，并對(duì)不同材料結(jié)構(gòu)的熱性能，以及冷

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件具有導(dǎo)通電阻低、擊穿電壓高、開關(guān)速度快及熱傳導(dǎo)性好等優(yōu)點(diǎn)，相比傳統(tǒng)的Si基功率器件，可簡(jiǎn)化功率電子系統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，減小系統(tǒng)損耗和體積，因而對(duì)功率電子系統(tǒng)的發(fā)展至關(guān)重要。然而，由于寬禁帶器件的外延材料和制備工藝仍不完善，器件界面缺陷密度大等問(wèn)題，使得寬禁帶功率器件在高溫、高

"本書基于作者團(tuán)隊(duì)多年的光刻工藝（包括先進(jìn)光刻工藝）研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，從集成電路工廠的基本結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體芯片制造中常用的控制系統(tǒng)、圖表等基本內(nèi)容出發(fā)，依次介紹光刻基礎(chǔ)知識(shí)，一個(gè)6晶體管靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的電路結(jié)構(gòu)與3個(gè)關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn)中SRAM制造的基本工藝流程，光刻機(jī)的發(fā)展歷史、光刻工藝8步流程、光刻膠以及掩模版類型，光刻工藝標(biāo)準(zhǔn)化與

本書詳細(xì)地闡述了寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展現(xiàn)狀、電熱行為模型建模方法與模型參數(shù)提取優(yōu)化算法、開通和關(guān)斷過(guò)電壓?jiǎn)栴}分析和抑制方法、串?dāng)_導(dǎo)通問(wèn)題機(jī)理與抑制方法。通過(guò)LLC變換器展示了如何借助寬禁帶器件電熱行為模型完成功率變換器硬件優(yōu)化設(shè)計(jì)和控制算法的仿真驗(yàn)證，并分析了平面磁集成矩陣變壓器的優(yōu)化設(shè)計(jì)方法，建立了LLC變換器小