本教程在簡(jiǎn)要介紹MOSFET場(chǎng)效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)和工作原理的基礎(chǔ)上，全面敘述了MOSFET基本電學(xué)特性和二階效應(yīng)；介紹了MOSFET器件模型及建模測(cè)試結(jié)構(gòu)和方案設(shè)計(jì)；給出了MOSFETBSIM模型參數(shù)提取流程；介紹了半導(dǎo)體器件SPICE模型建模平臺(tái)EmpyreanXModel，深入介紹了XModel的基本功能和界面；介

本書(shū)力圖全面深入地介紹太陽(yáng)能電池的原理、技術(shù)與應(yīng)用，為讀者提供一本兼具理論深度和實(shí)踐指導(dǎo)的權(quán)威之作。本書(shū)詳細(xì)闡釋了太陽(yáng)能與太陽(yáng)能電池的基本物理原理與特性，系統(tǒng)梳理了各類(lèi)太陽(yáng)能電池的發(fā)展脈絡(luò)，深入探討了太陽(yáng)能電池的測(cè)試原理與分析方法，重點(diǎn)介紹了太陽(yáng)能電池性能提升的前沿技術(shù)，進(jìn)一步闡述了光伏發(fā)電系統(tǒng)的設(shè)計(jì)與應(yīng)用。

本書(shū)為《新興半導(dǎo)體》分冊(cè)。新興半導(dǎo)體發(fā)展迅速、應(yīng)用領(lǐng)域廣泛、產(chǎn)業(yè)帶動(dòng)性強(qiáng)、節(jié)能潛力大，被公認(rèn)為最有發(fā)展前景的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)，在消費(fèi)類(lèi)電子、5G通訊、新能源汽車(chē)、智能電網(wǎng)、航天等領(lǐng)域具有廣闊的應(yīng)用前景。本分冊(cè)圍繞新興半導(dǎo)體這一“核芯”領(lǐng)域，從高載流子遷移率半導(dǎo)體材料、憶阻半導(dǎo)體材料、新型紅外半導(dǎo)體材料及超寬禁帶半導(dǎo)體材料

本書(shū)詳細(xì)介紹了多芯片SiCMOSFET功率模塊設(shè)計(jì)所面臨的物理挑戰(zhàn)及相應(yīng)的工程解決方案，主要內(nèi)容包括多芯片功率模塊、功率模塊設(shè)計(jì)及應(yīng)用、功率模塊優(yōu)化設(shè)計(jì)、功率模塊壽命評(píng)估方法、耐高溫功率模塊、功率模塊先進(jìn)評(píng)估技術(shù)、功率模塊退化監(jiān)測(cè)技術(shù)、功率模塊先進(jìn)熱管理方案、功率模塊新興的封裝技術(shù)等。本書(shū)所有章節(jié)均旨在提供關(guān)于多芯片S

"為了應(yīng)對(duì)我國(guó)在集成電路領(lǐng)域,尤其是光刻技術(shù)方面嚴(yán)重落后于發(fā)達(dá)國(guó)家的局面,破解光刻制造設(shè)備、材料和光學(xué)鄰近效應(yīng)修正軟件幾乎完全依賴(lài)進(jìn)口的困境,作為從事光刻工藝研發(fā)近20年的資深研發(fā)人員,作者肩負(fù)著協(xié)助光刻設(shè)備、材料和軟件等產(chǎn)業(yè)鏈共同研發(fā)和發(fā)展的責(zé)任,將為了應(yīng)對(duì)我國(guó)在集成電路領(lǐng)域，尤其是光刻技術(shù)方面嚴(yán)重落后于發(fā)達(dá)國(guó)家的局

以GaN為襯底材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物（包括AlN、GaN、InN及相關(guān)合金）是極為重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，這類(lèi)氮化物材料和器件的發(fā)展十分迅速。本書(shū)通過(guò)理論介紹與具體實(shí)驗(yàn)范例相結(jié)合的方式對(duì)氮化物半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)行介紹，并系統(tǒng)地講解了目前廣泛應(yīng)用的氮化物光電器件與氮化物電力電子器件，使讀者能夠充分了解二者之間內(nèi)在的聯(lián)系與區(qū)

半導(dǎo)體制造作為微電子與集成電路行業(yè)中非常重要的環(huán)節(jié)，其工藝可靠性是決定芯片性能的關(guān)鍵。本書(shū)詳細(xì)描述和分析了半導(dǎo)體器件制造中的可靠性和認(rèn)定，并討論了基本的物理和理論。本書(shū)涵蓋了初始規(guī)范定義、測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、測(cè)試結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)分析，以及工藝的最終認(rèn)定，是一本實(shí)用的、全面的指南，提供了驗(yàn)證前端器件和后端互連的測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的實(shí)際范例。

本書(shū)以光學(xué)/儀表級(jí)復(fù)合材料為應(yīng)用背景，以高比模量、高比強(qiáng)度、低膨脹、高導(dǎo)熱及高尺寸穩(wěn)定性等性能為目標(biāo)，針對(duì)中等體積分?jǐn)?shù)SiCp/Al復(fù)合材料的制備及性能調(diào)控難題，介紹了粉末冶金法制備SiCp/Al復(fù)合材料優(yōu)化工藝，通過(guò)碳化硅顆粒尺寸調(diào)控實(shí)現(xiàn)復(fù)合材料的性能改進(jìn)，進(jìn)一步介紹了不同碳化硅顆粒尺寸調(diào)控下復(fù)合材料的力學(xué)性能、界面

本書(shū)主要內(nèi)容是介紹TO2光催化劑的局限性，以及利用構(gòu)筑TiO2基納米異質(zhì)結(jié)來(lái)提高其光電化學(xué)性能。具體包括通過(guò)水熱法、陽(yáng)極氧化等方法制備m&t-BiVO4/TiO2-NTAs、TiO2/PSA、CdS/PSA和CdS/TiO2-NTAs等納米異質(zhì)結(jié)光催化劑，分析它們的電荷轉(zhuǎn)移機(jī)制和光電化學(xué)性能。

本書(shū)旨在系統(tǒng)探討超快光譜在半導(dǎo)體納米異質(zhì)結(jié)電荷轉(zhuǎn)移與光電化學(xué)性能方面的應(yīng)用，主要內(nèi)容包括納米異質(zhì)結(jié)復(fù)合體系的構(gòu)筑與表征，TiO2/Au/Cu2O納米管復(fù)合體系表(界)面紫外光生電荷動(dòng)力學(xué)行為，TiO2/BiVO4納米管復(fù)合體系表(界)面紫外光生電荷動(dòng)力學(xué)行為，TiO2/Mo2S納米管復(fù)合體系表(界)面紫外光生電荷動(dòng)力學(xué)