本書(shū)以最新的科研成果為基礎(chǔ)，深入研究了新鐵電極化機(jī)制的滑移鐵電半導(dǎo)體。通過(guò)對(duì)大量實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的分析和理論推導(dǎo)，揭示了滑移鐵電半導(dǎo)體的獨(dú)特性質(zhì)和應(yīng)用潛力。同時(shí)，結(jié)合國(guó)內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域的研究進(jìn)展，為讀者提供全面、系統(tǒng)的知識(shí)體系。本書(shū)通過(guò)對(duì)多層滑移鐵電半導(dǎo)體的深入研究，揭示了其獨(dú)特的鐵電極化翻轉(zhuǎn)模式，即鐵電極化在各層之間以逐層翻轉(zhuǎn)的

本書(shū)詳細(xì)介紹了多芯片SiCMOSFET功率模塊設(shè)計(jì)所面臨的物理挑戰(zhàn)及相應(yīng)的工程解決方案，主要內(nèi)容包括多芯片功率模塊、功率模塊設(shè)計(jì)及應(yīng)用、功率模塊優(yōu)化設(shè)計(jì)、功率模塊壽命評(píng)估方法、耐高溫功率模塊、功率模塊先進(jìn)評(píng)估技術(shù)、功率模塊退化監(jiān)測(cè)技術(shù)、功率模塊先進(jìn)熱管理方案、功率模塊新興的封裝技術(shù)等。本書(shū)所有章節(jié)均旨在提供關(guān)于多芯片S

"為了應(yīng)對(duì)我國(guó)在集成電路領(lǐng)域,尤其是光刻技術(shù)方面嚴(yán)重落后于發(fā)達(dá)國(guó)家的局面,破解光刻制造設(shè)備、材料和光學(xué)鄰近效應(yīng)修正軟件幾乎完全依賴(lài)進(jìn)口的困境,作為從事光刻工藝研發(fā)近20年的資深研發(fā)人員,作者肩負(fù)著協(xié)助光刻設(shè)備、材料和軟件等產(chǎn)業(yè)鏈共同研發(fā)和發(fā)展的責(zé)任,將為了應(yīng)對(duì)我國(guó)在集成電路領(lǐng)域，尤其是光刻技術(shù)方面嚴(yán)重落后于發(fā)達(dá)國(guó)家的局

以GaN為襯底材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物（包括AlN、GaN、InN及相關(guān)合金）是極為重要的寬禁帶半導(dǎo)體材料，這類(lèi)氮化物材料和器件的發(fā)展十分迅速。本書(shū)通過(guò)理論介紹與具體實(shí)驗(yàn)范例相結(jié)合的方式對(duì)氮化物半導(dǎo)體材料及器件進(jìn)行介紹，并系統(tǒng)地講解了目前廣泛應(yīng)用的氮化物光電器件與氮化物電力電子器件，使讀者能夠充分了解二者之間內(nèi)在的聯(lián)系與區(qū)

半導(dǎo)體制造作為微電子與集成電路行業(yè)中非常重要的環(huán)節(jié)，其工藝可靠性是決定芯片性能的關(guān)鍵。本書(shū)詳細(xì)描述和分析了半導(dǎo)體器件制造中的可靠性和認(rèn)定，并討論了基本的物理和理論。本書(shū)涵蓋了初始規(guī)范定義、測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、測(cè)試結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)分析，以及工藝的最終認(rèn)定，是一本實(shí)用的、全面的指南，提供了驗(yàn)證前端器件和后端互連的測(cè)試結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)的實(shí)際范例。

本書(shū)以光學(xué)/儀表級(jí)復(fù)合材料為應(yīng)用背景，以高比模量、高比強(qiáng)度、低膨脹、高導(dǎo)熱及高尺寸穩(wěn)定性等性能為目標(biāo)，針對(duì)中等體積分?jǐn)?shù)SiCp/Al復(fù)合材料的制備及性能調(diào)控難題，介紹了粉末冶金法制備SiCp/Al復(fù)合材料優(yōu)化工藝，通過(guò)碳化硅顆粒尺寸調(diào)控實(shí)現(xiàn)復(fù)合材料的性能改進(jìn)，進(jìn)一步介紹了不同碳化硅顆粒尺寸調(diào)控下復(fù)合材料的力學(xué)性能、界面

本書(shū)主要內(nèi)容是介紹TO2光催化劑的局限性，以及利用構(gòu)筑TiO2基納米異質(zhì)結(jié)來(lái)提高其光電化學(xué)性能。具體包括通過(guò)水熱法、陽(yáng)極氧化等方法制備m&t-BiVO4/TiO2-NTAs、TiO2/PSA、CdS/PSA和CdS/TiO2-NTAs等納米異質(zhì)結(jié)光催化劑，分析它們的電荷轉(zhuǎn)移機(jī)制和光電化學(xué)性能。

本書(shū)旨在系統(tǒng)探討超快光譜在半導(dǎo)體納米異質(zhì)結(jié)電荷轉(zhuǎn)移與光電化學(xué)性能方面的應(yīng)用，主要內(nèi)容包括納米異質(zhì)結(jié)復(fù)合體系的構(gòu)筑與表征，TiO2/Au/Cu2O納米管復(fù)合體系表(界)面紫外光生電荷動(dòng)力學(xué)行為，TiO2/BiVO4納米管復(fù)合體系表(界)面紫外光生電荷動(dòng)力學(xué)行為，TiO2/Mo2S納米管復(fù)合體系表(界)面紫外光生電荷動(dòng)力學(xué)

本書(shū)概述了業(yè)界前沿研究者所采取的技術(shù)方法，以及他們所面臨的挑戰(zhàn)和在該領(lǐng)域所取得的進(jìn)展。具體內(nèi)容包括寬禁帶半導(dǎo)體器件中的熱問(wèn)題、氮化鎵(GaN)及相關(guān)材料的第一性原理熱輸運(yùn)建模、多晶金剛石從介觀尺度到納米尺度的熱輸運(yùn)、固體界面熱輸運(yùn)基本理論、氮化鎵界面熱導(dǎo)上限的預(yù)測(cè)和測(cè)量、AlGaN/GaNHEMT器件物理與電熱建模、氮

《LED驅(qū)動(dòng)與應(yīng)用電路設(shè)計(jì)及案例分析》針對(duì)電子電路應(yīng)用設(shè)計(jì)實(shí)務(wù)中的痛點(diǎn)和難點(diǎn),通過(guò)案例舉一反三,使讀者能快速掌握分析和解決問(wèn)題的方法和思路。全書(shū)的編排設(shè)計(jì)始終遵循以讀者為中心、成果導(dǎo)向和持續(xù)改進(jìn)的理念,以培養(yǎng)應(yīng)用型的工程技術(shù)人員為目標(biāo),貫穿于整個(gè)電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)的全過(guò)程。全書(shū)采用案例式教學(xué),通過(guò)問(wèn)題引導(dǎo)的方式幫助讀者積累知