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當前分類數(shù)量:366  點擊返回 當前位置:首頁 > 中圖法 【TN3 半導體技術(shù)】 分類索引
  • 芯片那些事兒:半導體如何改變世界
    • 芯片那些事兒:半導體如何改變世界
    • 孫洪文 編著/2025-1-1/ 化學工業(yè)出版社/定價:¥69
    • 本書將半導體技術(shù)60多年的發(fā)展史濃縮在有限的篇幅里,通過簡明扼要的語言為我們講述關(guān)于芯片的那些事兒。本書主要圍繞“史前文明”——電子管時代、“新石器時代”——晶體管時代、“戰(zhàn)國時代”——中小規(guī)模集成電路時代、“大一統(tǒng)秦朝”——大規(guī)模和超大規(guī)模集成電路時代、“大唐盛世”——特大規(guī)模和巨大規(guī)模集成電路時代、“走進新時代”—

    • ISBN:9787122455291
  • 氮化鎵凹槽陽極器件理論與應用
    • 氮化鎵凹槽陽極器件理論與應用
    • 張進成/2024-12-1/ 科學出版社/定價:¥188
    • 氮化鎵作為寬禁帶半導體的典型代表之一,在電學、光學、力學、抗輻照等方面均表現(xiàn)優(yōu)異。本書以作者近年來的研究成果為基礎(chǔ),結(jié)合國際研究進展,系統(tǒng)介紹了寬禁帶氮化鎵凹槽陽極結(jié)構(gòu)的物理特性和實現(xiàn)方法,重點講述了氮化鎵凹槽陽極二極管器件。全書共分為8章,內(nèi)容包括緒論、凹槽陽極GaN肖特基結(jié)器件制備工藝、位錯免疫的凹槽陽極GaN肖特

    • ISBN:9787030803894
  • 納米半導體材料與太陽能電池
    • 納米半導體材料與太陽能電池
    • 康卓[等]編/2024-12-1/ 機械工業(yè)出版社/定價:¥59
    • 本書力圖全面深入地介紹太陽能電池的原理、技術(shù)與應用,為讀者提供一本兼具理論深度和實踐指導的權(quán)威之作。本書詳細闡釋了太陽能與太陽能電池的基本物理原理與特性,系統(tǒng)梳理了各類太陽能電池的發(fā)展脈絡(luò),深入探討了太陽能電池的測試原理與分析方法,重點介紹了太陽能電池性能提升的前沿技術(shù),進一步闡述了光伏發(fā)電系統(tǒng)的設(shè)計與應用。

    • ISBN:9787111776444
  • 大功率IGBT驅(qū)動器設(shè)計與應用
    • 大功率IGBT驅(qū)動器設(shè)計與應用
    • 賀之淵,客金坤等編著/2024-12-1/ 中國電力出版社/定價:¥118
    • 本書內(nèi)容主要內(nèi)容為概述、IGBT模塊電氣特性、驅(qū)動器設(shè)計、IGBT多器件驅(qū)動控制技術(shù)、驅(qū)動器可靠性設(shè)計、驅(qū)動器試驗及測試、大功率IGBT驅(qū)動器應用案例。本書系統(tǒng)、深入地闡述了IGBT及其驅(qū)動器的技術(shù)發(fā)展等。

    • ISBN:9787519891572
  • 鎵體系半導體與集成電路
    • 鎵體系半導體與集成電路
    • 張韻,沈桂英編著/2024-12-1/ 中國鐵道出版社/定價:¥128
    • 本書為《新興半導體》分冊。新興半導體發(fā)展迅速、應用領(lǐng)域廣泛、產(chǎn)業(yè)帶動性強、節(jié)能潛力大,被公認為最有發(fā)展前景的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè),在消費類電子、5G通訊、新能源汽車、智能電網(wǎng)、航天等領(lǐng)域具有廣闊的應用前景。本分冊圍繞新興半導體這一“核芯”領(lǐng)域,從高載流子遷移率半導體材料、憶阻半導體材料、新型紅外半導體材料及超寬禁帶半導體材料

    • ISBN:9787113319335
  • 二維半導體的滑移鐵電物理及器件特性研究
    • 二維半導體的滑移鐵電物理及器件特性研究
    • 卞仁吉,劉富才著/2024-12-1/ 電子科技大學出版社/定價:¥60
    • 本書以最新的科研成果為基礎(chǔ),深入研究了新鐵電極化機制的滑移鐵電半導體。通過對大量實驗數(shù)據(jù)的分析和理論推導,揭示了滑移鐵電半導體的獨特性質(zhì)和應用潛力。同時,結(jié)合國內(nèi)外相關(guān)領(lǐng)域的研究進展,為讀者提供全面、系統(tǒng)的知識體系。本書通過對多層滑移鐵電半導體的深入研究,揭示了其獨特的鐵電極化翻轉(zhuǎn)模式,即鐵電極化在各層之間以逐層翻轉(zhuǎn)的

    • ISBN:9787577012575
  • 碳化硅功率模塊設(shè)計
    • 碳化硅功率模塊設(shè)計
    • (日)阿爾貝托·卡斯特拉齊(AlbertoCastellazzi)等著/2024-12-1/ 機械工業(yè)出版社/定價:¥119
    • 本書詳細介紹了多芯片SiCMOSFET功率模塊設(shè)計所面臨的物理挑戰(zhàn)及相應的工程解決方案,主要內(nèi)容包括多芯片功率模塊、功率模塊設(shè)計及應用、功率模塊優(yōu)化設(shè)計、功率模塊壽命評估方法、耐高溫功率模塊、功率模塊先進評估技術(shù)、功率模塊退化監(jiān)測技術(shù)、功率模塊先進熱管理方案、功率模塊新興的封裝技術(shù)等。本書所有章節(jié)均旨在提供關(guān)于多芯片S

    • ISBN:9787111766544
  • 衍射極限附近的光刻工藝(第2版)
    • 衍射極限附近的光刻工藝(第2版)
    • 伍強、胡華勇、何偉明、岳力挽、張強、楊東旭、黃怡、李艷麗/2024-11-1/ 清華大學出版社/定價:¥368
    • "為了應對我國在集成電路領(lǐng)域,尤其是光刻技術(shù)方面嚴重落后于發(fā)達國家的局面,破解光刻制造設(shè)備、材料和光學鄰近效應修正軟件幾乎完全依賴進口的困境,作為從事光刻工藝研發(fā)近20年的資深研發(fā)人員,作者肩負著協(xié)助光刻設(shè)備、材料和軟件等產(chǎn)業(yè)鏈共同研發(fā)和發(fā)展的責任,將為了應對我國在集成電路領(lǐng)域,尤其是光刻技術(shù)方面嚴重落后于發(fā)達國家的局

    • ISBN:9787302676119
  •  氮化鎵半導體材料及器件
    • 氮化鎵半導體材料及器件
    • 張進成/2024-10-1/ 西安電子科技大學出版社/定價:¥108
    • 以GaN為襯底材料的Ⅲ-Ⅴ族氮化物(包括AlN、GaN、InN及相關(guān)合金)是極為重要的寬禁帶半導體材料,這類氮化物材料和器件的發(fā)展十分迅速。本書通過理論介紹與具體實驗范例相結(jié)合的方式對氮化物半導體材料及器件進行介紹,并系統(tǒng)地講解了目前廣泛應用的氮化物光電器件與氮化物電力電子器件,使讀者能夠充分了解二者之間內(nèi)在的聯(lián)系與區(qū)

    • ISBN:9787560673851
  •  半導體工藝可靠性 [中]甘正浩 [美]黃威森 [美]劉俊杰
    • 半導體工藝可靠性 [中]甘正浩 [美]黃威森 [美]劉俊杰
    • [中]甘正浩 [美]黃威森 [美]劉俊杰/2024-10-1/ 機械工業(yè)出版社/定價:¥199
    • 半導體制造作為微電子與集成電路行業(yè)中非常重要的環(huán)節(jié),其工藝可靠性是決定芯片性能的關(guān)鍵。本書詳細描述和分析了半導體器件制造中的可靠性和認定,并討論了基本的物理和理論。本書涵蓋了初始規(guī)范定義、測試結(jié)構(gòu)設(shè)計、測試結(jié)構(gòu)數(shù)據(jù)分析,以及工藝的最終認定,是一本實用的、全面的指南,提供了驗證前端器件和后端互連的測試結(jié)構(gòu)設(shè)計的實際范例。

    • ISBN:9787111764946
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