本書是作者從事電子制造40年來有關(guān)單板互連可靠性方面的經(jīng)驗總結(jié),討論了單板常見的失效模式、典型失效場景以及如何設計與制造高可靠性產(chǎn)品的廣泛問題，并通過大量篇幅重點討論了焊點的斷裂失效現(xiàn)象及裂紋特征。全書內(nèi)容共4個部分，第一部分為焊點失效機理與裂紋特征，詳細介紹焊點的失效模式、失效機理、裂紋特征及失效分析方法;第二部分為

隨著先進的集成電路工藝節(jié)點不斷向納米級推進，對半導體納米器件的研究就顯得越發(fā)重要。本書詳細介紹了半導體納米器件的物理學原理、結(jié)構(gòu)、制造工藝及應用等內(nèi)容。開篇介紹了這一研究領域在過去幾十年的發(fā)展；前半部分重點介紹電子納米器件，包括準一維電子氣、強電子相關(guān)的測量、量子點的熱電特性、單電子源、量子電流標準、電子量子光學、噪聲

本書詳細介紹了半導體芯片制造中的核心技術(shù)——光刻技術(shù)。主要內(nèi)容包括驅(qū)動光學光刻的基本方程和參數(shù)的相關(guān)知識、曝光系統(tǒng)和成像基礎理論、光刻系統(tǒng)組件、工藝和優(yōu)化技術(shù)等；深入分析了光刻技術(shù)的發(fā)展前景，詳述了浸沒式光刻與極紫外（EUV）光刻。本書（第二版）特別融合了作者在研究、教學以及世界級大批量制造方面的獨特經(jīng)驗，增加了關(guān)于接

本書對半導體存儲器技術(shù)進行了全面綜合的介紹，覆蓋了從底層的器件及單元結(jié)構(gòu)到頂層的陣列設計，且重點介紹了近些年的工藝節(jié)點縮小趨勢和最前沿的技術(shù)。本書第1部分討論了主流的半導體存儲器技術(shù)，第2部分討論了多種新型的存儲器技術(shù)，這些技術(shù)都有潛力能夠改變現(xiàn)有的存儲層級，同時也介紹了存儲器技術(shù)在機器學習或深度學習中的新型應用。

半導體材料(semiconductormaterial)是一類具有半導體性能(導電能力介于導體與絕緣體之間，電阻率約在1mΩ·cm-1GΩ·cm范圍內(nèi))、可用來制作半導體器件和集成電路的電子材料。半導體材料是一種具有極大影響力的功能材料，廣泛應用于制作晶體管、集成電路、電力電子器件、光電子器件等領域，支撐著通信、計算機

本書是由高校光電專業(yè)負責人與光電龍頭企業(yè)的高級工程師、掌握世界最新光電前沿技術(shù)的海歸博士組成的編寫團隊編寫而成，具有前沿技術(shù)與基礎理論并重、理論聯(lián)系實際、圖文并茂、通俗易懂的特色，特別適合于產(chǎn)業(yè)工程師專業(yè)研究和高校師生學習使用。全書內(nèi)容體系完整，共包含7章：第1章，散熱基礎理論；第2章，LED散熱分析模型；第3章，LE

《LED封裝與檢測》從LED的燈珠結(jié)構(gòu)入手，詳細論述了LED封裝工藝與生產(chǎn)管控中的必要工藝和相關(guān)基礎知識，之后又針對LED封裝前工序和封裝后工序進行了詳細明，尤其是對其中的擴晶工藝、固晶制程、配膠等用實操圖片加文字講解的形式進行了論述，接著對LED產(chǎn)品控制的重要流程———參數(shù)測試進行了特別說明。本書最后安排了實訓項目，

在半導體芯片被廣泛關(guān)注的當下，本書旨在為廣大讀者提供一本通俗易懂和全面了解半導體芯片原理、設計、制造工藝的學習參考書。《極簡圖解半導體技術(shù)基本原理（原書第3版）》以圖解的形式，簡單明了地介紹了什么是半導體以及半導體的物理特性，什么是IC、ISI以及其類型、工作原理和應用領域。在此基礎上詳細介紹了ISI的開發(fā)與設計、IS

本書聚焦硅基集成電路主要器件，即PN結(jié)、雙極型晶體管和場效應晶體管的基本結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、直流特性、頻率特性、開關(guān)特性，側(cè)重對基本原理的討論，借助圖表對各種效應進行圖形化直觀展示，并詳細推導了各種公式。此外，還對小尺寸場效應晶體管的典型短溝道效應及其實際業(yè)界對策進行了較為詳細的闡述。本書適合集成電路或微電子相關(guān)專業(yè)本科生

《半導體結(jié)構(gòu)》主要內(nèi)容總體可被劃分為兩個部分，分別是晶體的結(jié)構(gòu)理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質(zhì)與基本概念撰寫，加深讀者對晶體結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵性質(zhì)的理解。第一部分擬通過五個章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結(jié)構(gòu)、對稱性、晶體結(jié)構(gòu)描述方法及典型半導體晶體的重要物理、化學特性和這些特性與晶體微觀、