本書主要描述常用半導體器件的基本結構、工作原理以及電特性。內(nèi)容包括：半導體物理基礎、PN結、PN結二極管應用、雙極型晶體管、結型場效應晶體管、MOSFET以及新型場效應晶體管，如FinFET、SOIFET、納米線圍柵(GAA)FET等，共計七章。與同類教材比較，本教材增加了pn結二極管應用以及新型場效應晶體管的介紹，反

《半導體先進封裝技術》作者在半導體封裝領域擁有40多年的研發(fā)和制造經(jīng)驗。《半導體先進封裝技術》共分為11章，重點介紹了先進封裝，系統(tǒng)級封裝，扇入型晶圓級/板級芯片尺寸封裝，扇出型晶圓級/板級封裝，2D、2.1D和2.3DIC集成，2.5DIC集成，3DIC集成和3DIC封裝，混合鍵合，芯粒異質(zhì)集成，低損耗介電材料和先進

本書比較全面地介紹了當前表面組裝技術(SMT)生產(chǎn)線及主要設備、建線工程、設備選型、基板、元器件、工藝材料等基礎知識和表面組裝印制電路板可制造性設計(DFM)等內(nèi)容。全書分為6章，分別是第1章緒論、第2章SMT生產(chǎn)材料準備、第3章SMT涂敷工藝技術、第4章MT貼裝工藝技術、第5章MT檢測工藝技術、第6章MT清洗工藝技術

本書介紹了紅外探測領域的基本概念、研究進展和發(fā)展趨勢。全書旨在為從事紅外探測器設計以及應用的科研人員，深入介紹本領域的專業(yè)基礎、分析方法、技術進展和發(fā)展趨勢，為新型紅外焦平面器件的研發(fā)提供一定的基礎理論指導和技術支持。

本書主要介紹了通過分析在不同絕緣層制備的有機場效應晶體管性能，得出絕緣層與半導體層表面能匹配可以提高場效應遷移率的規(guī)律。全書共4章，具體內(nèi)容包括：有機場效應晶體管簡介及發(fā)展現(xiàn)狀分析，Ph5T2單晶場效應晶體管的制備及其性能分析，表面能匹配對于不同單晶材料普適性的討論，以及利用表面能匹配為指導制備高遷移率DNTT單晶場效

本書旨在向材料及微電子集成相關專業(yè)的高年級本科生、研究生及從事材料與器件集成行業(yè)的科研人員介紹柵介質(zhì)材料制備與相關器件集成的專業(yè)技術。本書共10章，包括了集成電路的發(fā)展趨勢及后摩爾時代的器件挑戰(zhàn)，柵介質(zhì)材料的基本概念及物理知識儲備，柵介質(zhì)材料的基本制備技術及表征方法；著重介紹了柵介質(zhì)材料在不同器件中的集成應用，如高κ與

本書介紹了當前主流的光學光刻、先進的極紫外光刻以及下一代光刻技術。主要內(nèi)容涵蓋了光刻理論、工藝、材料、設備、關鍵部件、分辨率增強、建模與仿真、典型物理與化學效應等，包括光刻技術的前沿進展，還總結了極紫外光刻的特點、存在問題與發(fā)展方向。

傳感器是信息獲取的源頭，位于信息技術鏈條的最前端。本書從氣體傳感器的應用領域和系統(tǒng)分類出發(fā)，重點圍繞基于混成電位原理的固體電解質(zhì)氣體傳感器的研究進展、發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢進行介紹。本書主要內(nèi)容包括固體電解質(zhì)氣體傳感器的種類和特點、釔穩(wěn)定氧化鋯基混成電位型氣體傳感器的混成電位原理、增感策略、高效三相界面構筑、其他增感策略以

全書共分為4章，系統(tǒng)闡述了輻射誘導半導體缺陷的相關理論、數(shù)值模擬方法、表征技術及應用�？臻g輻射誘導缺陷是導致電子元器件性能退化的重要原因，然而輻射誘導缺陷的形成、演化和性質(zhì)與半導體材料本身物理屬性、器件類型及結構密切相關。

本書概述了氮化物半導體及其在功率電子和光電子器件中的應用，解釋了這些材料的物理特性及其生長方法，詳細討論了它們在高電子遷移率晶體管、垂直型功率器件、發(fā)光二極管、激光二極管和垂直腔面發(fā)射激光器中的應用。本書進一步研究了這些材料的可靠性問題，并提出了將它們與2D材料結合用于新型高頻和高功率器件的前景。本書具有較好的指導性和