本書是集成電路新興領(lǐng)域“十四五”高等教育教材。本書共分為八章，主要內(nèi)容有：半導體光電子器件物理基礎(chǔ)、半導體發(fā)光二極管（LED）、半導體二極管激光器、半導體電光調(diào)制器、半導體光電探測器、新型二極管光電探測器、半導體圖像傳感器、半導體太陽能電池。本書特點為：從基本概念入手、有淺入深；內(nèi)容涵蓋了目前較為常見幾種重要的半導體光

隨著5G通信、新能源汽車（xEV）等前沿技術(shù)的蓬勃發(fā)展，對高效、高可靠性的功率半導體的需求日益增長，本書正是基于此而誕生的。本書分3篇，共有9章，內(nèi)容包括SiC功率半導體、GaN功率半導體、金剛石功率半導體、Ga2O3（氧化鎵）功率半導體、功率半導體與器件的封裝技術(shù)、功率半導體與器件的評估、汽車領(lǐng)域新一代功率半導體的實

本書是圍繞電子裝聯(lián)企業(yè)的崗位需求，以電子裝聯(lián)生產(chǎn)工藝順序為主線設(shè)計典型工作任務(wù)，并結(jié)合電子信息制造業(yè)最新發(fā)展成果而編寫的理實一體化新形態(tài)教材。全書共包含裝聯(lián)準備、手工焊接與返修、表面貼裝元器件自動裝聯(lián)、通孔元器件自動裝聯(lián)、基板裝聯(lián)、先進裝聯(lián)技術(shù)六個模塊。 本書配套提供豐富的數(shù)字化教學資源，包括教學課件、微課、操作視頻、

本書內(nèi)容從半導體相關(guān)基礎(chǔ)知識入手，首先介紹半導體的物理特性，以及與其相關(guān)的晶體、原子、能帶理論、空穴、摻雜等基本概念；再從晶體管入手，講述晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理、制備工藝，以及集成電路的相關(guān)知識；最后，落地到應用，介紹了半導體器件的使用和具體的應用電路，以及半導體器件參數(shù)和等效電路。由于半導體技術(shù)涉及材料、微電子、電子

本書內(nèi)容以實用性為出發(fā)點，闡釋了氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導體的原理、制造工藝、特性表征、市場現(xiàn)狀以及針對關(guān)鍵應用的設(shè)計方法。針對GaN器件，從材料特性、芯片設(shè)計、制造工藝和外特性各方面深入分析，介紹了仿真手段和各種典型應用，最后還介紹了目前主流的技術(shù)和GaN公司。

本書針對后摩爾時代集成電路產(chǎn)業(yè)日益嚴重的功耗問題，介紹芯片功耗、工作電壓和場效應晶體管亞閾值特性的關(guān)系，并通過解析鐵電負電容場效應晶體管陡峭亞閾值特性工作機理，闡明鐵電負電容場效應晶體管技術(shù)對于突破后摩爾時代功耗瓶頸的關(guān)鍵作用。

本書從光刻機到下一代光刻技術(shù)，從光刻膠材料到多重圖形化技術(shù)，全面剖析每一步技術(shù)革新如何推動半導體產(chǎn)業(yè)邁向納米級精細加工的新高度。本書共6篇19章，內(nèi)容包括光刻機、激光光源、掩膜技術(shù)、下一代光刻技術(shù)發(fā)展趨勢、EUV光刻技術(shù)、納米壓印光刻技術(shù)、電子束刻蝕技術(shù)與設(shè)備開發(fā)、定向自組裝（DSA）技術(shù)、光刻膠材料的發(fā)展趨勢、化學增

本書首先簡要闡述近年來新型瞬態(tài)電真空半導體光電子器件內(nèi)涵、特點、研究意義與國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀，使讀者對新型瞬態(tài)電真空半導體光電子器件有一個宏觀把握和大致了解:接著對影響新型瞬態(tài)電真空半導體光電子器件總體設(shè)計方案的多種外界約束條件和性能指標進行分析;然后重點論述新型瞬態(tài)電真空半導體光電子器件總體情況與發(fā)展趨勢，并分別詳細論述

本書綜合了近幾年工業(yè)界的最新進展和學術(shù)界的最新研究成果，詳細介紹并討論了碳化硅功率器件的基本原理、發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢、特性及測試方法、應用技術(shù)和各應用領(lǐng)域的方案。本書共分為12章，內(nèi)容涵蓋功率半導體器件基礎(chǔ)，SiC二極管的主要特性,SiCMOSFET的主要特性，SiC器件與Si器件特性對比，雙脈沖測試技術(shù)，SiC器件的測試

《薄膜晶體管材料與技術(shù)》是戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域“十四五”高等教育教材體系——“先進功能材料與技術(shù)”系列教材之一。本書歸納薄膜晶體管（TFT）材料、器件及制備技術(shù)，總結(jié)和梳理TFT相關(guān)的基礎(chǔ)理論知識，包括材料物理與化學、器件物理、工藝原理以及實際應用設(shè)計原理，進一步提出新見解，為TFT技術(shù)的發(fā)展提供理論指導和方向參考。本書以T