本書以半導(dǎo)體工藝和器件的仿真為主線，按照由簡(jiǎn)入繁、由低及高的原則循序深入，從仿真的數(shù)理基礎(chǔ)及對(duì)TCAD/WebTCAD的認(rèn)識(shí)出發(fā)、以半導(dǎo)體工藝基礎(chǔ)及器件基礎(chǔ)為知識(shí)儲(chǔ)備，引出對(duì)基于WebTCAD的二維工藝仿真及二維器件仿真的詳細(xì)介紹，并在此基礎(chǔ)上介紹WebTCAD的實(shí)例庫及具體應(yīng)用，從而達(dá)到能熟練使用WebTCAD來進(jìn)行

隨著照明需求的日益上升，LED產(chǎn)業(yè)鏈整體發(fā)展迅速，LED相關(guān)的應(yīng)用行業(yè)也呈現(xiàn)蓬勃發(fā)展的趨勢(shì)。在現(xiàn)代照明領(lǐng)域，大功率LED的發(fā)展至關(guān)重要，但因封裝結(jié)構(gòu)和制造工藝上的復(fù)雜性，制約了大功率LED發(fā)光效率和使用壽命的提高，因此大功率LED封裝技術(shù)成為當(dāng)下研究探索的熱點(diǎn)。本書全面、系統(tǒng)地介紹了大功率LED封裝技術(shù)的基本原理及其應(yīng)

本書是集成電路新興領(lǐng)域“十四五”高等教育教材。本書共分為八章，主要內(nèi)容有：半導(dǎo)體光電子器件物理基礎(chǔ)、半導(dǎo)體發(fā)光二極管（LED）、半導(dǎo)體二極管激光器、半導(dǎo)體電光調(diào)制器、半導(dǎo)體光電探測(cè)器、新型二極管光電探測(cè)器、半導(dǎo)體圖像傳感器、半導(dǎo)體太陽能電池。本書特點(diǎn)為：從基本概念入手、有淺入深；內(nèi)容涵蓋了目前較為常見幾種重要的半導(dǎo)體光

隨著5G通信、新能源汽車（xEV）等前沿技術(shù)的蓬勃發(fā)展，對(duì)高效、高可靠性的功率半導(dǎo)體的需求日益增長(zhǎng)，本書正是基于此而誕生的。本書分3篇，共有9章，內(nèi)容包括SiC功率半導(dǎo)體、GaN功率半導(dǎo)體、金剛石功率半導(dǎo)體、Ga2O3（氧化鎵）功率半導(dǎo)體、功率半導(dǎo)體與器件的封裝技術(shù)、功率半導(dǎo)體與器件的評(píng)估、汽車領(lǐng)域新一代功率半導(dǎo)體的實(shí)

本書是圍繞電子裝聯(lián)企業(yè)的崗位需求，以電子裝聯(lián)生產(chǎn)工藝順序?yàn)橹骶�設(shè)計(jì)典型工作任務(wù)，并結(jié)合電子信息制造業(yè)最新發(fā)展成果而編寫的理實(shí)一體化新形態(tài)教材。全書共包含裝聯(lián)準(zhǔn)備、手工焊接與返修、表面貼裝元器件自動(dòng)裝聯(lián)、通孔元器件自動(dòng)裝聯(lián)、基板裝聯(lián)、先進(jìn)裝聯(lián)技術(shù)六個(gè)模塊。 本書配套提供豐富的數(shù)字化教學(xué)資源，包括教學(xué)課件、微課、操作視頻、

本書內(nèi)容從半導(dǎo)體相關(guān)基礎(chǔ)知識(shí)入手，首先介紹半導(dǎo)體的物理特性，以及與其相關(guān)的晶體、原子、能帶理論、空穴、摻雜等基本概念；再從晶體管入手，講述晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理、制備工藝，以及集成電路的相關(guān)知識(shí)；最后，落地到應(yīng)用，介紹了半導(dǎo)體器件的使用和具體的應(yīng)用電路，以及半導(dǎo)體器件參數(shù)和等效電路。由于半導(dǎo)體技術(shù)涉及材料、微電子、電子

本書內(nèi)容以實(shí)用性為出發(fā)點(diǎn)，闡釋了氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導(dǎo)體的原理、制造工藝、特性表征、市場(chǎng)現(xiàn)狀以及針對(duì)關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)計(jì)方法。針對(duì)GaN器件，從材料特性、芯片設(shè)計(jì)、制造工藝和外特性各方面深入分析，介紹了仿真手段和各種典型應(yīng)用，最后還介紹了目前主流的技術(shù)和GaN公司。

本書針對(duì)后摩爾時(shí)代集成電路產(chǎn)業(yè)日益嚴(yán)重的功耗問題，介紹芯片功耗、工作電壓和場(chǎng)效應(yīng)晶體管亞閾值特性的關(guān)系，并通過解析鐵電負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管陡峭亞閾值特性工作機(jī)理，闡明鐵電負(fù)電容場(chǎng)效應(yīng)晶體管技術(shù)對(duì)于突破后摩爾時(shí)代功耗瓶頸的關(guān)鍵作用。

本書從光刻機(jī)到下一代光刻技術(shù)，從光刻膠材料到多重圖形化技術(shù)，全面剖析每一步技術(shù)革新如何推動(dòng)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向納米級(jí)精細(xì)加工的新高度。本書共6篇19章，內(nèi)容包括光刻機(jī)、激光光源、掩膜技術(shù)、下一代光刻技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)、EUV光刻技術(shù)、納米壓印光刻技術(shù)、電子束刻蝕技術(shù)與設(shè)備開發(fā)、定向自組裝（DSA）技術(shù)、光刻膠材料的發(fā)展趨勢(shì)、化學(xué)增

本書首先簡(jiǎn)要闡述近年來新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件內(nèi)涵、特點(diǎn)、研究意義與國(guó)內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀，使讀者對(duì)新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件有一個(gè)宏觀把握和大致了解:接著對(duì)影響新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件總體設(shè)計(jì)方案的多種外界約束條件和性能指標(biāo)進(jìn)行分析;然后重點(diǎn)論述新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件總體情況與發(fā)展趨勢(shì)，并分別詳細(xì)論述