電力電子裝置及系統(tǒng)的電磁兼容問題是目前新能源、儲(chǔ)能、電動(dòng)汽車等行業(yè)的共性技術(shù)難題。本書總結(jié)了作者20年來對(duì)電力電子裝置及系統(tǒng)電磁兼容的研究成果，幵吸收了國內(nèi)外關(guān)于電磁兼容最新的標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范和理論方法；全面介紹了電力電子裝置及系統(tǒng)電磁兼容的原理特點(diǎn)、測試方法、設(shè)計(jì)理論和實(shí)際應(yīng)用。本書全面涵蓋了電力電子裝置及系統(tǒng)傳導(dǎo)與輻射電磁

《芯粒設(shè)計(jì)與異質(zhì)集成封裝》作者在半導(dǎo)體封裝領(lǐng)域擁有40多年的研發(fā)和制造經(jīng)驗(yàn)。《芯粒設(shè)計(jì)與異質(zhì)集成封裝》共分為6章，重點(diǎn)介紹了先進(jìn)封裝技術(shù)前沿，芯片分區(qū)異質(zhì)集成和芯片切分異質(zhì)集成，基于TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成，基于無TSV轉(zhuǎn)接板的多系統(tǒng)和異質(zhì)集成，芯粒間的橫向通信，銅-銅混合鍵合等內(nèi)容。通過對(duì)這些內(nèi)容的學(xué)習(xí)，能夠讓

本書基于廣泛應(yīng)用的CMOS鎖相環(huán)（PLL）設(shè)計(jì)，首先通過直觀的方式展示理論概念，并逐步建立更為實(shí)用的系統(tǒng)；其次詳細(xì)闡述振蕩器、相位噪聲、模擬鎖相環(huán)、數(shù)字鎖相環(huán)、射頻頻率綜合器、延遲鎖定環(huán)、時(shí)鐘和數(shù)據(jù)恢復(fù)電路以及分頻器等重要主題；然后特別介紹高級(jí)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)下的高性能振蕩器設(shè)計(jì)；最后通過廣泛使用電路仿真來講述設(shè)計(jì)要領(lǐng)，突出設(shè)

本書綜合了近幾年工業(yè)界的最新進(jìn)展和學(xué)術(shù)界的最新研究成果，詳細(xì)介紹并討論了碳化硅功率器件的基本原理、發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢、特性及測試方法、應(yīng)用技術(shù)和各應(yīng)用領(lǐng)域的方案。本書共分為12章，內(nèi)容涵蓋功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)，SiC二極管的主要特性,SiCMOSFET的主要特性，SiC器件與Si器件特性對(duì)比，雙脈沖測試技術(shù)，SiC器件的測試

電子元器件包括電子元件、半導(dǎo)體器件和連接類器件等三大類，已經(jīng)成為機(jī)械、設(shè)備、航空、航天、消費(fèi)電子等各個(gè)行業(yè)的基礎(chǔ)產(chǎn)業(yè)，也是目前發(fā)展最快、應(yīng)用最廣、戰(zhàn)略性最強(qiáng)、競爭最激烈的工程技術(shù)活動(dòng)。電子元器件工程項(xiàng)目在相關(guān)專業(yè)的高校、研究所和企業(yè)中非常普遍，包括電子器件級(jí)或系統(tǒng)級(jí)的研發(fā)、設(shè)計(jì)、試驗(yàn)等研究工作，也包括電子產(chǎn)品生產(chǎn)線的開

數(shù)字簽名是公鑰密碼技術(shù)最重要的組成部分，在電子商務(wù)、電子政務(wù)，特別是去中心化的網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)中具有不可替代的作用。在網(wǎng)絡(luò)與智能化時(shí)代，數(shù)字簽名是最重要的數(shù)字技術(shù)之一。本書從經(jīng)典的數(shù)字簽名技術(shù)入手，對(duì)前沿與主流的簽名系統(tǒng)，特別是同態(tài)簽名與抗量子計(jì)算簽名進(jìn)行

本書為新一代通信技術(shù)新興領(lǐng)域“十四五”高等教育系列教材之一，本系列教材編寫團(tuán)隊(duì)已入選教育部“戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域‘十四五’高等教育教材體系建設(shè)團(tuán)隊(duì)”。本書圍繞頻域和時(shí)頻對(duì)偶性兩條主線講述，分為十章，分別是緒論、連續(xù)信號(hào)的離散化與重構(gòu)、離散信號(hào)與系統(tǒng)的時(shí)域

本書是在原普通高等教育“十一五”國家級(jí)規(guī)劃教材以及“面向２１世紀(jì)課程教材”《集成電子技術(shù)基礎(chǔ)教程》（第1、2、3版）的基礎(chǔ)上，經(jīng)過不斷地教學(xué)實(shí)踐，總結(jié)了浙江大學(xué)多年來對(duì)“電子技術(shù)基礎(chǔ)”課程的教學(xué)改革經(jīng)驗(yàn)，并參照“教育部電子電氣基礎(chǔ)課程教學(xué)指導(dǎo)分委員會(huì)”制訂的教學(xué)基本要求修訂而成的。修訂后的教材繼續(xù)保留原教材“模數(shù)”緊密

本書被列入集成電路新興領(lǐng)域“十四五”高等教育教材。全書共7章，以硅微電子器件為中心，在介紹可靠性基本概念、梳理可靠性基本理念的基礎(chǔ)上，重點(diǎn)介紹微電路可靠性設(shè)計(jì)技術(shù)、可靠性的工藝保證要求和控制方法、微電路可靠性試驗(yàn)與評(píng)價(jià)，以及支撐這些技術(shù)的可靠性數(shù)學(xué)、可靠性物理和失效分析技術(shù)。本書同時(shí)介紹了氮化鎵器件的主要失效機(jī)理和可靠

圖像處理理論近年來發(fā)展迅速，從稀疏表示理論到基于張量表示和深度學(xué)習(xí)的圖像處理方法不斷涌現(xiàn)，并且這些全新的圖像處理方法已經(jīng)應(yīng)用在手機(jī)、視頻監(jiān)控、遙感數(shù)據(jù)處理中心等平臺(tái)上。本書以彩色圖像、多/高光譜遙感數(shù)據(jù)、視頻數(shù)據(jù)、偏振時(shí)序圖像數(shù)據(jù)為研究對(duì)象，總結(jié)以張量表示方法和深度學(xué)習(xí)方法為核心的圖像處理理論的昀新進(jìn)展，并從工程應(yīng)用的