本書內(nèi)容從半導(dǎo)體相關(guān)基礎(chǔ)知識入手，首先介紹半導(dǎo)體的物理特性，以及與其相關(guān)的晶體、原子、能帶理論、空穴、摻雜等基本概念；再從晶體管入手，講述晶體管的結(jié)構(gòu)、工作原理、制備工藝，以及集成電路的相關(guān)知識；最后，落地到應(yīng)用，介紹了半導(dǎo)體器件的使用和具體的應(yīng)用電路，以及半導(dǎo)體器件參數(shù)和等效電路。由于半導(dǎo)體技術(shù)涉及材料、微電子、電子

本書內(nèi)容以實用性為出發(fā)點，闡釋了氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)半導(dǎo)體的原理、制造工藝、特性表征、市場現(xiàn)狀以及針對關(guān)鍵應(yīng)用的設(shè)計方法。針對GaN器件，從材料特性、芯片設(shè)計、制造工藝和外特性各方面深入分析，介紹了仿真手段和各種典型應(yīng)用，最后還介紹了目前主流的技術(shù)和GaN公司。

本書針對后摩爾時代集成電路產(chǎn)業(yè)日益嚴重的功耗問題，介紹芯片功耗、工作電壓和場效應(yīng)晶體管亞閾值特性的關(guān)系，并通過解析鐵電負電容場效應(yīng)晶體管陡峭亞閾值特性工作機理，闡明鐵電負電容場效應(yīng)晶體管技術(shù)對于突破后摩爾時代功耗瓶頸的關(guān)鍵作用。

本書從光刻機到下一代光刻技術(shù)，從光刻膠材料到多重圖形化技術(shù)，全面剖析每一步技術(shù)革新如何推動半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)邁向納米級精細加工的新高度。本書共6篇19章，內(nèi)容包括光刻機、激光光源、掩膜技術(shù)、下一代光刻技術(shù)發(fā)展趨勢、EUV光刻技術(shù)、納米壓印光刻技術(shù)、電子束刻蝕技術(shù)與設(shè)備開發(fā)、定向自組裝（DSA）技術(shù)、光刻膠材料的發(fā)展趨勢、化學(xué)增

本書首先簡要闡述近年來新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件內(nèi)涵、特點、研究意義與國內(nèi)外發(fā)展現(xiàn)狀，使讀者對新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件有一個宏觀把握和大致了解:接著對影響新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件總體設(shè)計方案的多種外界約束條件和性能指標進行分析;然后重點論述新型瞬態(tài)電真空半導(dǎo)體光電子器件總體情況與發(fā)展趨勢，并分別詳細論述

本書綜合了近幾年工業(yè)界的最新進展和學(xué)術(shù)界的最新研究成果，詳細介紹并討論了碳化硅功率器件的基本原理、發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢、特性及測試方法、應(yīng)用技術(shù)和各應(yīng)用領(lǐng)域的方案。本書共分為12章，內(nèi)容涵蓋功率半導(dǎo)體器件基礎(chǔ)，SiC二極管的主要特性,SiCMOSFET的主要特性，SiC器件與Si器件特性對比，雙脈沖測試技術(shù)，SiC器件的測試

《薄膜晶體管材料與技術(shù)》是戰(zhàn)略性新興領(lǐng)域“十四五”高等教育教材體系——“先進功能材料與技術(shù)”系列教材之一。本書歸納薄膜晶體管（TFT）材料、器件及制備技術(shù)，總結(jié)和梳理TFT相關(guān)的基礎(chǔ)理論知識，包括材料物理與化學(xué)、器件物理、工藝原理以及實際應(yīng)用設(shè)計原理，進一步提出新見解，為TFT技術(shù)的發(fā)展提供理論指導(dǎo)和方向參考。本書以T

氧化鎵(Ga2O3)具有超寬禁帶和高臨界擊穿場強，可滿足電力電子系統(tǒng)高功率(密度)、高效率和小型化發(fā)展需求，在航空航天、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域應(yīng)用前景廣闊，但器件受限于高耐壓和低功耗的矛盾關(guān)系，且當前對大功率器件及其熱穩(wěn)定性研究較少。為此，本論文在Ga2O3器件新結(jié)構(gòu)與熱穩(wěn)定性方面開展理論和實驗創(chuàng)新研究。本研究為氧化鎵功率器件

本書是一本微電子技術(shù)方面的入門書籍，全面介紹了半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)知識。全書分為三個部分共19章，首先介紹了半導(dǎo)體基礎(chǔ)，講解了半導(dǎo)體物理方面的相關(guān)知識以及半導(dǎo)體制備工藝方面的基本概念。書中闡述了pn結(jié)、雙極結(jié)型晶體管（BJT）和其他結(jié)型器件的基本物理特性，并給出了相關(guān)特性的定性與定量分析。最后，作者討論了場效應(yīng)器件，除了講

本書提供了在各個工藝及系統(tǒng)層次的半導(dǎo)體存儲器現(xiàn)狀的全面概述。在介紹了市場趨勢和存儲應(yīng)用之后，本書重點介紹了各種主流技術(shù)，詳述了它們的現(xiàn)狀、挑戰(zhàn)和機遇，并特別關(guān)注了可微縮途徑。這些述及的技術(shù)包括靜態(tài)隨機存取存儲器(SRAM)、動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)、非易失性存儲器(NVM)和NAND閃存。本書還提及了嵌入式存儲器