《模擬電路與AD16混合仿真分析》針對(duì)目前應(yīng)用中需要解決的問(wèn)題，把元件、信號(hào)與電路綜合到一起，介紹重點(diǎn)元件的性能參數(shù)，通過(guò)運(yùn)用AltiumDesigner里面集成的混合仿真工具進(jìn)行目標(biāo)模擬，通過(guò)原理圖仿真來(lái)觀察和比較系統(tǒng)的輸入、輸出信號(hào)的幅頻特性或相頻特性，在學(xué)習(xí)模擬電路的過(guò)程中避免了煩瑣的計(jì)算，再深入思考存在的問(wèn)題和

本書主要著眼于設(shè)計(jì)安全可靠、實(shí)用的基于屬性的簽名方案，重點(diǎn)對(duì)基于屬性簽名方案的多屬性授權(quán)機(jī)構(gòu)、無(wú)可信中心授權(quán)機(jī)構(gòu)、簽名托管/委托及可證明安全等問(wèn)題展開(kāi)研究。

作為第五代移動(dòng)通信技術(shù)，作為實(shí)現(xiàn)萬(wàn)物互聯(lián)的網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施，5G技術(shù)和大數(shù)據(jù)、人工智能、云計(jì)算、物聯(lián)網(wǎng)等相結(jié)合，在經(jīng)濟(jì)社會(huì)數(shù)字化、網(wǎng)絡(luò)化和智能化轉(zhuǎn)型過(guò)程中發(fā)揮著重要的作用。從2019年我國(guó)正式進(jìn)入5G商用元年以來(lái)，到現(xiàn)在5G手機(jī)終端用戶的大量增加，5G與人們工作和生活的聯(lián)系也越來(lái)越密切，并誕生了一些新的職業(yè)和新的工作機(jī)會(huì)。

本書與《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)簡(jiǎn)明教程》（第4版）配套。本書可幫助廣大學(xué)生及自學(xué)上述教材的讀者正確把握模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)課程的基本要求，牢固掌握課程的基本概念、基本原理和基本分析方法，學(xué)習(xí)解題方法。本書章節(jié)順序與主教材一致，主要內(nèi)容為教材各章的學(xué)習(xí)要點(diǎn)，重點(diǎn)、難點(diǎn)分析，基本教學(xué)要求，部分習(xí)題分析及詳解，習(xí)題參考答案，部分Ｍｕｌ

本書概念清晰、內(nèi)容豐富，理論與實(shí)踐緊密聯(lián)系，借助信息通信項(xiàng)目管理沙盤模擬實(shí)施不同信息通信建設(shè)工程項(xiàng)目的運(yùn)營(yíng)管理，不斷優(yōu)化管理方案，達(dá)到項(xiàng)目回報(bào)**化。本書對(duì)信息通信建設(shè)工程的基礎(chǔ)知識(shí)、成本管理、進(jìn)度管理、質(zhì)量管理、招投標(biāo)與合同管理、竣工驗(yàn)收與后評(píng)估、安全管理、信息通信建設(shè)工程項(xiàng)目管理沙盤模擬項(xiàng)目運(yùn)營(yíng)等進(jìn)行詳細(xì)描述，最后

本書緊貼智能交通技術(shù)中監(jiān)控設(shè)備操作的相關(guān)內(nèi)容，結(jié)合行業(yè)中監(jiān)控崗位和維護(hù)崗位的職業(yè)技能要求，采用學(xué)習(xí)情境項(xiàng)目式教學(xué)模式編寫而成。本書共有7個(gè)學(xué)習(xí)情境，內(nèi)容包括知識(shí)能力概述、監(jiān)控設(shè)備的安裝、監(jiān)控設(shè)備的配置、監(jiān)控設(shè)備的操作、信息發(fā)布設(shè)備的操作、設(shè)備故障維護(hù)與保養(yǎng)、閱讀資料等。書末附有各個(gè)項(xiàng)目的任務(wù)工單。 本書可作為高職院校智

電磁態(tài)勢(shì)分析屬于多學(xué)科交叉的新興領(lǐng)域，其融合性、專業(yè)性特點(diǎn)十分突出。本書從電磁態(tài)勢(shì)分析的基本概念入手，從信源引接、融合處理、生成顯示與系統(tǒng)構(gòu)建等不同層面系統(tǒng)介紹了電磁態(tài)勢(shì)分析全流程、全要素的工作機(jī)制與分析方法。本書可作為網(wǎng)電對(duì)抗領(lǐng)域各類研究人員的參考用書，也可作為高等院校偵察情報(bào)相關(guān)專業(yè)的教學(xué)用書和學(xué)習(xí)參考書。

全書共分七章，內(nèi)容包括緒論、傳輸線理論、微波傳輸線、微波網(wǎng)絡(luò)、微波元件、天線基本理論和電波傳播基礎(chǔ)等。本書內(nèi)容翔實(shí)，深入淺出，力求將基本概念、基本理論講清、講透，對(duì)相關(guān)章節(jié)內(nèi)容中的新技術(shù)和發(fā)展進(jìn)行了簡(jiǎn)單的介紹，既保證了每一章的獨(dú)立性，又體現(xiàn)了全書知識(shí)點(diǎn)的完整性。內(nèi)容這樣安排，一方面給一貫被認(rèn)為是看不見(jiàn)、摸不著、既難學(xué)又

本書以作者近年來(lái)的研究成果為基礎(chǔ)，結(jié)合國(guó)際研究進(jìn)展，系統(tǒng)地介紹了金剛石超寬禁帶半導(dǎo)體器件的物理特性和實(shí)現(xiàn)方法，重點(diǎn)介紹了氫終端金剛石場(chǎng)效應(yīng)管器件。全書共8章，內(nèi)容包括緒論、金剛石的表面終端、氫終端金剛石場(chǎng)效應(yīng)管的原理和優(yōu)化、金剛石微波功率器件、基于各種介質(zhì)的氫終端金剛石MOSFET、金剛石高壓二極管、石墨烯/金剛石復(fù)合

本書主要介紹近幾年發(fā)展較快的氧化鎵半導(dǎo)體器件。氧化鎵作為新型的超寬禁帶半導(dǎo)體材料，在高耐壓功率電子器件、紫外光電探測(cè)器件等方面都具有重要的應(yīng)用前景。本書共分為7章，第1~4章（氧化鎵材料部分）介紹了氧化鎵半導(dǎo)體材料的基本結(jié)構(gòu)，單晶生長(zhǎng)和薄膜外延方法，電學(xué)特性，氧化鎵材料與金屬、其他半導(dǎo)體的接觸，氧化鎵材料的刻蝕、離子注