本書分為兩部分，共14章。第一部分為基本知識(shí)，共5章，主要內(nèi)容包括天線的電參數(shù)及主要輻射單元，電波傳播與鏈路預(yù)算，專用通信天線的安裝、架設(shè)與維修，專用通信天線的檢測與驗(yàn)收，短波通信、同軸饋線和共用天線技術(shù)。第二部分為專用通信天線及其他天線，共9章，主要內(nèi)容包括艦船通信天線，地面（岸基）臺(tái)站天線，專用移動(dòng)通信天線，盤錐天

隨著太赫茲技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)固態(tài)器件在耐受功率等方面已經(jīng)很難提升，導(dǎo)致現(xiàn)有的太赫茲源輸出功率低，不能滿足太赫茲系統(tǒng)工程化的需求。寬禁帶半導(dǎo)體氮化鎵具有更高擊穿場強(qiáng)、更高熱導(dǎo)率和更低介電常數(shù)的優(yōu)點(diǎn)，在研制大功率固態(tài)源、高速調(diào)制和高靈敏探測方面具有優(yōu)勢。本書主要介紹氮化物太赫茲器件的最新進(jìn)展，包括氮化鎵太赫茲二極管、三極管、

本書為《數(shù)字圖像處理算法原理及底層代碼編程實(shí)現(xiàn)》,主要內(nèi)容包括圖像幾何變換、圖像增強(qiáng)、圖像去噪、圖像邊緣檢測、圖像分割、彩色圖像處理等。在算法原理方面,本書擬通過教材結(jié)構(gòu)系統(tǒng)化和理論知識(shí)專題化進(jìn)行改革,將多且零散的知識(shí)點(diǎn)通過8個(gè)遞進(jìn)的專題進(jìn)行介紹;在底層代碼方面,本書擬添加重要算法的底層代碼實(shí)現(xiàn),并結(jié)合實(shí)際工程項(xiàng)目展開

本書以具體激光介質(zhì)的研究為例,系統(tǒng)地介紹了不同激勵(lì)方式下氣體激光器動(dòng)力學(xué)模型的建立方法,以及根據(jù)動(dòng)力學(xué)模型對(duì)各種氣體激光產(chǎn)生機(jī)理的深入理解,還介紹了相干光、激光等離子體軟X射線、飛秒激光、氣體放電、射頻放電、毛細(xì)管放電、電子束等激勵(lì)方式下,新型氣體激光介質(zhì)中動(dòng)力學(xué)過程及研究結(jié)果。

本書是職業(yè)院校物聯(lián)網(wǎng)技術(shù)應(yīng)用專業(yè)教材,依據(jù)相關(guān)專業(yè)教學(xué)指導(dǎo)方案,并參照物聯(lián)網(wǎng)智能家居系統(tǒng)集成和應(yīng)用1+X證書、物聯(lián)網(wǎng)職業(yè)技能標(biāo)準(zhǔn)和行業(yè)職業(yè)技能鑒定規(guī)范,結(jié)合當(dāng)前中等職業(yè)教育的實(shí)際教學(xué)情況編寫而成。本書循序漸進(jìn)地闡述了Android嵌入式開發(fā)的基本內(nèi)容,共有6個(gè)項(xiàng)目:Android嵌入式開發(fā)概述、LED霓虹燈、有源蜂鳴器

全書分為兩大部分,第一部分為微波濾波器相關(guān)理論及設(shè)計(jì)實(shí)現(xiàn),第二部分為射頻電路相關(guān)的理論及工程設(shè)計(jì)。濾波器通過自身的頻率選擇性來控制系統(tǒng)的工作頻帶,其性能的好壞對(duì)整個(gè)系統(tǒng)所起的作用至關(guān)重要。無線通信應(yīng)用越來越廣泛,系統(tǒng)有時(shí)需要工作在多個(gè)頻段,而現(xiàn)在的頻譜資源利用越來越緊張,具有多頻段應(yīng)用功能的微波器件可以大大簡化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)

"本書外方作者只保留署名權(quán)，本書版權(quán)歸西安科技大學(xué)所有，根據(jù)版權(quán)局相關(guān)規(guī)定，無需進(jìn)行版權(quán)登記。 本書的書名是《數(shù)字簽名密史：從急需到有趣》，專注于介紹數(shù)字簽名——一種可用于保護(hù)數(shù)據(jù)完整性的密碼技術(shù)。其中，“密史”的全稱是密碼技術(shù)研究發(fā)展史，這是一段從急需到有趣的研究變遷史。本書對(duì)數(shù)字簽名的專注將使得讀者看到一個(gè)更加系

氧化鎵作為新型的寬禁帶半導(dǎo)體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應(yīng)用前景。本書從氧化鎵半導(dǎo)體材料的發(fā)展歷程、材料特性、材料制備原理與技術(shù)及電學(xué)性質(zhì)調(diào)控等幾個(gè)方面做了較全面的介紹，重點(diǎn)梳理了作者及國內(nèi)外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果；系統(tǒng)闡述了獲得高質(zhì)量體塊單晶及薄膜的

本書以第三代半導(dǎo)體與二維材料相結(jié)合的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用為目標(biāo)，詳細(xì)介紹了二維材料上準(zhǔn)范德華外延氮化物的理論計(jì)算、材料生長、器件制備和應(yīng)用，內(nèi)容集學(xué)術(shù)性與實(shí)用性于一體。全書共8章，內(nèi)容包括二維材料及準(zhǔn)范德華外延原理及應(yīng)用、二維材料/氮化物準(zhǔn)范德華外延界面理論計(jì)算、二維材料/氮化物準(zhǔn)范德華外延成鍵成核、單晶襯底上氮化物薄膜準(zhǔn)范德華

氮化鋁晶體具有寬帶隙、高熱導(dǎo)率、高擊穿場強(qiáng)等優(yōu)勢，是制備紫外發(fā)光器件和大功率電力電子器件的理想材料。本書以作者多年的研究成果為基礎(chǔ)，參考國內(nèi)外的最新研究成果，詳細(xì)介紹了氮化鋁單晶材料生長與器件制備的基本原理、技術(shù)工藝、最新進(jìn)展及發(fā)展趨勢。本書共7章，內(nèi)容包括氮化鋁單晶材料的基本性質(zhì)、缺陷及其生長的物理基礎(chǔ)，物理氣相傳輸