本書以作者近年來的研究成果為基礎，結(jié)合國際研究進展，系統(tǒng)地介紹了金剛石超寬禁帶半導體器件的物理特性和實現(xiàn)方法，重點介紹了氫終端金剛石場效應管器件。全書共8章，內(nèi)容包括緒論、金剛石的表面終端、氫終端金剛石場效應管的原理和優(yōu)化、金剛石微波功率器件、基于各種介質(zhì)的氫終端金剛石MOSFET、金剛石高壓二極管、石墨烯/金剛石復合

本書主要介紹近幾年發(fā)展較快的氧化鎵半導體器件。氧化鎵作為新型的超寬禁帶半導體材料，在高耐壓功率電子器件、紫外光電探測器件等方面都具有重要的應用前景。本書共分為7章，第1~4章（氧化鎵材料部分）介紹了氧化鎵半導體材料的基本結(jié)構(gòu)，單晶生長和薄膜外延方法，電學特性，氧化鎵材料與金屬、其他半導體的接觸，氧化鎵材料的刻蝕、離子注

本書分為兩部分，共14章。第一部分為基本知識，共5章，主要內(nèi)容包括天線的電參數(shù)及主要輻射單元，電波傳播與鏈路預算，專用通信天線的安裝、架設與維修，專用通信天線的檢測與驗收，短波通信、同軸饋線和共用天線技術。第二部分為專用通信天線及其他天線，共9章，主要內(nèi)容包括艦船通信天線，地面（岸基）臺站天線，專用移動通信天線，盤錐天

隨著太赫茲技術的發(fā)展，傳統(tǒng)固態(tài)器件在耐受功率等方面已經(jīng)很難提升，導致現(xiàn)有的太赫茲源輸出功率低，不能滿足太赫茲系統(tǒng)工程化的需求。寬禁帶半導體氮化鎵具有更高擊穿場強、更高熱導率和更低介電常數(shù)的優(yōu)點，在研制大功率固態(tài)源、高速調(diào)制和高靈敏探測方面具有優(yōu)勢。本書主要介紹氮化物太赫茲器件的最新進展，包括氮化鎵太赫茲二極管、三極管、

本書為《數(shù)字圖像處理算法原理及底層代碼編程實現(xiàn)》,主要內(nèi)容包括圖像幾何變換、圖像增強、圖像去噪、圖像邊緣檢測、圖像分割、彩色圖像處理等。在算法原理方面,本書擬通過教材結(jié)構(gòu)系統(tǒng)化和理論知識專題化進行改革,將多且零散的知識點通過8個遞進的專題進行介紹;在底層代碼方面,本書擬添加重要算法的底層代碼實現(xiàn),并結(jié)合實際工程項目展開

本書以具體激光介質(zhì)的研究為例,系統(tǒng)地介紹了不同激勵方式下氣體激光器動力學模型的建立方法,以及根據(jù)動力學模型對各種氣體激光產(chǎn)生機理的深入理解,還介紹了相干光、激光等離子體軟X射線、飛秒激光、氣體放電、射頻放電、毛細管放電、電子束等激勵方式下,新型氣體激光介質(zhì)中動力學過程及研究結(jié)果。

本書是職業(yè)院校物聯(lián)網(wǎng)技術應用專業(yè)教材,依據(jù)相關專業(yè)教學指導方案,并參照物聯(lián)網(wǎng)智能家居系統(tǒng)集成和應用1+X證書、物聯(lián)網(wǎng)職業(yè)技能標準和行業(yè)職業(yè)技能鑒定規(guī)范,結(jié)合當前中等職業(yè)教育的實際教學情況編寫而成。本書循序漸進地闡述了Android嵌入式開發(fā)的基本內(nèi)容,共有6個項目:Android嵌入式開發(fā)概述、LED霓虹燈、有源蜂鳴器

全書分為兩大部分,第一部分為微波濾波器相關理論及設計實現(xiàn),第二部分為射頻電路相關的理論及工程設計。濾波器通過自身的頻率選擇性來控制系統(tǒng)的工作頻帶,其性能的好壞對整個系統(tǒng)所起的作用至關重要。無線通信應用越來越廣泛,系統(tǒng)有時需要工作在多個頻段,而現(xiàn)在的頻譜資源利用越來越緊張,具有多頻段應用功能的微波器件可以大大簡化系統(tǒng)結(jié)構(gòu)

"本書外方作者只保留署名權，本書版權歸西安科技大學所有，根據(jù)版權局相關規(guī)定，無需進行版權登記。 本書的書名是《數(shù)字簽名密史：從急需到有趣》，專注于介紹數(shù)字簽名——一種可用于保護數(shù)據(jù)完整性的密碼技術。其中，“密史”的全稱是密碼技術研究發(fā)展史，這是一段從急需到有趣的研究變遷史。本書對數(shù)字簽名的專注將使得讀者看到一個更加系

氧化鎵作為新型的寬禁帶半導體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應用前景。本書從氧化鎵半導體材料的發(fā)展歷程、材料特性、材料制備原理與技術及電學性質(zhì)調(diào)控等幾個方面做了較全面的介紹，重點梳理了作者及國內(nèi)外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果；系統(tǒng)闡述了獲得高質(zhì)量體塊單晶及薄膜的