本書以光學(xué)/儀表級復(fù)合材料為應(yīng)用背景，以高比模量、高比強(qiáng)度、低膨脹、高導(dǎo)熱及高尺寸穩(wěn)定性等性能為目標(biāo)，針對中等體積分?jǐn)?shù)SiCp/Al復(fù)合材料的制備及性能調(diào)控難題，介紹了粉末冶金法制備SiCp/Al復(fù)合材料優(yōu)化工藝，通過碳化硅顆粒尺寸調(diào)控實現(xiàn)復(fù)合材料的性能改進(jìn)，進(jìn)一步介紹了不同碳化硅顆粒尺寸調(diào)控下復(fù)合材料的力學(xué)性能、界面

本書主要內(nèi)容是介紹TO2光催化劑的局限性，以及利用構(gòu)筑TiO2基納米異質(zhì)結(jié)來提高其光電化學(xué)性能。具體包括通過水熱法、陽極氧化等方法制備m&t-BiVO4/TiO2-NTAs、TiO2/PSA、CdS/PSA和CdS/TiO2-NTAs等納米異質(zhì)結(jié)光催化劑，分析它們的電荷轉(zhuǎn)移機(jī)制和光電化學(xué)性能。

本書旨在系統(tǒng)探討超快光譜在半導(dǎo)體納米異質(zhì)結(jié)電荷轉(zhuǎn)移與光電化學(xué)性能方面的應(yīng)用，主要內(nèi)容包括納米異質(zhì)結(jié)復(fù)合體系的構(gòu)筑與表征，TiO2/Au/Cu2O納米管復(fù)合體系表(界)面紫外光生電荷動力學(xué)行為，TiO2/BiVO4納米管復(fù)合體系表(界)面紫外光生電荷動力學(xué)行為，TiO2/Mo2S納米管復(fù)合體系表(界)面紫外光生電荷動力學(xué)

本書概述了業(yè)界前沿研究者所采取的技術(shù)方法，以及他們所面臨的挑戰(zhàn)和在該領(lǐng)域所取得的進(jìn)展。具體內(nèi)容包括寬禁帶半導(dǎo)體器件中的熱問題、氮化鎵(GaN)及相關(guān)材料的第一性原理熱輸運(yùn)建模、多晶金剛石從介觀尺度到納米尺度的熱輸運(yùn)、固體界面熱輸運(yùn)基本理論、氮化鎵界面熱導(dǎo)上限的預(yù)測和測量、AlGaN/GaNHEMT器件物理與電熱建模、氮

《LED驅(qū)動與應(yīng)用電路設(shè)計及案例分析》針對電子電路應(yīng)用設(shè)計實務(wù)中的痛點和難點,通過案例舉一反三,使讀者能快速掌握分析和解決問題的方法和思路。全書的編排設(shè)計始終遵循以讀者為中心、成果導(dǎo)向和持續(xù)改進(jìn)的理念,以培養(yǎng)應(yīng)用型的工程技術(shù)人員為目標(biāo),貫穿于整個電子產(chǎn)品設(shè)計的全過程。全書采用案例式教學(xué),通過問題引導(dǎo)的方式幫助讀者積累知

本書是國外學(xué)者們對寬禁帶半導(dǎo)體封裝技術(shù)和趨勢的及時總結(jié)。首先，對寬禁帶功率器件的發(fā)展趨勢做了總結(jié)和預(yù)演判斷，講述寬禁帶功率半導(dǎo)體的基本原理和特性，包括其獨特的物理和化學(xué)屬性，以及它們在極端環(huán)境下的潛在優(yōu)勢。接著介紹封裝材料的選擇和特性，分別就互連技術(shù)和襯底展開論述，同時，介紹了磁性材料，并對不同材料結(jié)構(gòu)的熱性能，以及冷

以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件具有導(dǎo)通電阻低、擊穿電壓高、開關(guān)速度快及熱傳導(dǎo)性好等優(yōu)點，相比傳統(tǒng)的Si基功率器件，可簡化功率電子系統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，減小系統(tǒng)損耗和體積，因而對功率電子系統(tǒng)的發(fā)展至關(guān)重要。然而，由于寬禁帶器件的外延材料和制備工藝仍不完善，器件界面缺陷密度大等問題，使得寬禁帶功率器件在高溫、高

"本書基于作者團(tuán)隊多年的光刻工藝（包括先進(jìn)光刻工藝）研發(fā)經(jīng)驗，從集成電路工廠的基本結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體芯片制造中常用的控制系統(tǒng)、圖表等基本內(nèi)容出發(fā)，依次介紹光刻基礎(chǔ)知識，一個6晶體管靜態(tài)隨機(jī)存儲器的電路結(jié)構(gòu)與3個關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點中SRAM制造的基本工藝流程，光刻機(jī)的發(fā)展歷史、光刻工藝8步流程、光刻膠以及掩模版類型，光刻工藝標(biāo)準(zhǔn)化與

本書詳細(xì)地闡述了寬禁帶功率半導(dǎo)體器件的發(fā)展現(xiàn)狀、電熱行為模型建模方法與模型參數(shù)提取優(yōu)化算法、開通和關(guān)斷過電壓問題分析和抑制方法、串?dāng)_導(dǎo)通問題機(jī)理與抑制方法。通過LLC變換器展示了如何借助寬禁帶器件電熱行為模型完成功率變換器硬件優(yōu)化設(shè)計和控制算法的仿真驗證，并分析了平面磁集成矩陣變壓器的優(yōu)化設(shè)計方法，建立了LLC變換器小

《低維半導(dǎo)體材料及其信息能源器件》講述了低維半導(dǎo)體材料與器件的制備與構(gòu)筑及其在電子信息和綠色能源領(lǐng)域的新穎應(yīng)用。全書共7章，涵蓋了低維材料的生長和表征、二維半導(dǎo)體材料在觸覺傳感器的應(yīng)用、二維過渡金屬硫化合物感通融器件、二維過渡金屬硫化物的納米光子學(xué)和光電子學(xué)、二維半導(dǎo)體材料材料非易失性阻變存儲器和射頻開關(guān)、四/五主族二